[发明专利]基于基准源的电流温度系数控制电路

权利要求书

1.一种基于基准源的电流温度系数控制电路，其特征在于，所述电路包括：

零温度系数电压生成模块，用于生成零温度系数电压V_REF；

可调温度系数电流生成模块，包括第三电阻R3、第七PMOS管MP7以及第六PMOS管MP6，用于在所述零温度系数电压V_REF稳定的情况下，通过所述第七PMOS管MP7的正温度系数电流与所述第六PMOS管MP6的负温度系数电流之和，得到可调温度系数的参考电流I_REF，所述参考电流的可调温度系数通过调节施加有负温度系数电流的所述第三电阻R3的阻值得到，

所述零温度系数电压生成模块包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第一电阻R1以及第二电阻R2；

所述第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2以及第四PMOS管MP4的栅极与所述第一PMOS管MP1的漏极连接，所述第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4的源极与电源电压连接，所述第三PMOS管MP3的栅极与所述第二PMOS管MP2的漏极连接；

所述第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3的栅极与所述第三NMOS管MN3、所述第三PMOS管MP3的漏极连接，所述第一NMOS管MN1的漏极与所述第一PMOS管MP1的漏极连接，所述第一NMOS管MN1的源极与所述第一三极管Q1的发射极连接，所述第二NMOS管MN2的漏极与所述第二PMOS管MP2的漏极连接，所述第二NMOS管MN2的源极通过所述第一电阻R1与所述第二三极管Q2的发射极连接，所述第三NMOS管MN3的源极与所述第三三极管Q3的发射极连接；

所述第一三极管Q1、所述第二三极管Q2、所述第三三极管Q3与所述第四三极管Q4的基极、集电极均接地，所述第四PMOS管MP4的漏极与所述第二电阻R2的第一端连接，所述第四三极管Q4的发射极与所述第二电阻R2的第二端连接，所述第二电阻R2的第一端输出所述零温度系数电压，

所述可调温度系数电流生成模块还包括第五PMOS管MP5与第四NMOS管MN4；

所述第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7的源极与所述电源电压连接，所述第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6的栅极与所述第五PMOS管MP5的漏极连接，所述第六PMOS管MP6的漏极与所述第七PMOS管MP7的漏极连接，所述第七PMOS管MP7的栅极与所述第一PMOS管MP1的栅极连接，所述第五PMOS管MP5的漏极与所述第四NMOS管MN4的漏极连接，所述第四NMOS管MN4的栅极与所述第三NMOS管MN3的漏极连接，所述第四NMOS管MN4的源极通过所述第三电阻R3接地。

2.根据权利要求1所述的基于基准源的电流温度系数控制电路，其特征在于，所述第一电阻R1、第二电阻R2与第三电阻R3为同种类型电阻。

3.根据权利要求1所述的基于基准源的电流温度系数控制电路，其特征在于，所述第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第四PMOS管MP4与第七PMOS管MP7的尺寸相等，所述第一NMOS管MN1与第二NMOS管MN2的尺寸相等，所述第五PMOS管MP5与第六PMOS管MP6的尺寸相等。

4.根据权利要求3所述的基于基准源的电流温度系数控制电路，其特征在于，所述第七PMOS管MP7、所述第四PMOS管MP4、所述第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、所述第一三极管Q1与所述第二三极管Q2的电流均相等。

5.根据权利要求3所述的基于基准源的电流温度系数控制电路，其特征在于，所述第五PMOS管MP5与第六PMOS管MP6的电流相等。

6.根据权利要求3所述的基于基准源的电流温度系数控制电路，其特征在于，所述第一NMOS管MN1与第二NMOS管MN2的电流相等。