[发明专利]基于基准源的电流温度系数控制电路有效

专利信息
申请号: 202011230892.6 申请日: 2020-11-06
公开(公告)号: CN112486242B 公开(公告)日: 2022-01-28
发明(设计)人: 唐晓柯;胡毅;赵东艳;李振国;冯文楠;汪宇怀 申请(专利权)人: 北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国网浙江省电力有限公司;国家电网有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 肖冰滨;王晓晓
地址: 100192 北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 基于 基准 电流 温度 系数 控制电路
【说明书】:

发明涉及集成电路技术领域,提供一种基于基准源的电流温度系数控制电路,包括:零温度系数电压生成模块,用于生成零温度系数电压;可调温度系数电流生成模块,包括第三电阻R3、第七PMOS管MP7以及第六PMOS管MP6,用于在所述零温度系数电压稳定的情况下,通过所述第七PMOS管MP7的正温度系数电流与所述第六PMOS管MP6的负温度系数电流之和,得到可调温度系数的参考电流,所述参考电流的可调温度系数通过调节施加有负温度系数电流的所述第三电阻R3的阻值得到。本发明实施例在保证基准源中零温度系数电压特性稳定的前提下,实现基准源中电流温度系数的调节。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域,具体地涉及一种基于基准源的电流温度系数控制电路。

背景技术

在现有实现零温度系数电压的基准源中,主要采用具有正温度系数的两个不同电流密度的三极管得到VBE电压差,并将该电压差加到一个低温度系数电阻上,得到一个与温度成正比的电流,再将该电流送给一个相同类型的低温度系数电阻,得到一个正温度系数的电压,该电压与三极管具有负温度系数的VBE相加,得到一个零温度系数电压。若是需要调整该基准源中电流的温度系数,则会影响零温度系数电压的温度系数,无法保证该电压的零温度系数。

发明内容

本发明实施例的目的是提供一种基于基准源的电流温度系数控制电路,实现了在基准源中可同时满足零温度系数电压与电流温度系数可调的需求。

为了实现上述目的,本发明实施例提供一种基于基准源的电流温度系数控制电路,包括:零温度系数电压生成模块,用于生成零温度系数电压;可调温度系数电流生成模块,包括第三电阻R3、第七PMOS管MP7以及第六PMOS管MP6,用于在所述零温度系数电压稳定的情况下,通过所述第七PMOS管MP7的正温度系数电流与所述第六PMOS管MP6的负温度系数电流之和,得到可调温度系数的参考电流,所述参考电流的可调温度系数通过调节施加有负温度系数电流的所述第三电阻R3的阻值得到。

进一步地,所述零温度系数电压生成模块包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第一电阻R1以及第二电阻R2;所述第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2以及第四PMOS管MP4的栅极与所述第一PMOS管MP1的漏极连接,所述第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4的源极与电源电压连接,所述第三PMOS管MP3的栅极与所述第二PMOS管MP2的漏极连接;所述第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3的栅极与所述第三NMOS管MN3、所述第三PMOS管MP3的漏极连接,所述第一NMOS管MN1的漏极与所述第一PMOS管MP1的漏极连接,所述第二NMOS管MN2的漏极与所述第二PMOS管MP2的漏极连接,所述第一NMOS管MN1与所述第一三极管Q1的发射极连接,所述第二NMOS管MN2的源极通过所述第一电阻R1与所述第二三极管Q2的发射极连接,所述第三NMOS管MN3的源极与所述第三三极管Q3的发射极连接;所述第一三极管Q1、所述第二三极管Q2、所述第三三极管Q3与所述第四三极管Q4的基极、集电极均接地,所述第四PMOS管MP4的漏极与所述第二电阻R2的第一端连接,所述第四三极管Q4的发射极与所述第二电阻R2的第二端连接,所述第二电阻R2的第一端输出所述零温度系数电压。

进一步地,所述可调温度系数电流生成模块还包括第五PMOS管MP5与第四NMOS管MN4;所述第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7的源极与所述电源电压连接,所述第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6的栅极与所述第五PMOS管MP5的漏极连接,所述第六PMOS管MP6的漏极与所述第七PMOS管MP7的漏极连接,所述第五PMOS管MP5的漏极与所述第四NMOS管MN4的漏极连接,所述第四NMOS管MN4的栅极与所述第三NMOS管MN3的漏极连接,所述第四NMOS管MN4的源极通过所述第三电阻R3接地。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国网浙江省电力有限公司;国家电网有限公司,未经北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国网浙江省电力有限公司;国家电网有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011230892.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top