[发明专利]一种半导体器件的制造方法及半导体器件有效
| 申请号： | 202011232024.1 | 申请日： | 2020-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN112466804B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 杨妍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基底，所述基底具有键合面；所述基底包括硅光器件；
于所述键合面，刻蚀所述基底位于目标高度以上的部分以形成第一开口槽；
在所述基底上形成覆盖所述基底和所述第一开口槽的键合材料层，并在所述键合材料层上键合载片晶圆；
对所述基底背离所述键合面的一面进行减薄处理；
于所述基底背离所述键合面的一面，刻蚀所述基底以形成第二开口槽，所述第二开口槽与所述第一开口槽连通；所述第一开口槽和所述第二开口槽的侧壁为光纤与所述基底的耦合面；
去除所述键合材料层和载片晶圆。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述基底至少包括绝缘体上硅晶圆，以及形成在所述绝缘体上硅晶圆上的硅光器件；
所述基底的键合面为所述硅光器件的上表面；所述目标高度等于所述绝缘体上硅晶圆所包括的硅衬底的厚度。
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一开口槽的深度大于或等于所述绝缘体上硅晶圆所包括的埋氧层的厚度与所述硅光器件的厚度之和。
4.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一开口槽的深度大于或等于10微米；所述键合材料层的厚度大于或等于30微米。
5.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第二开口槽的深度等于减薄处理后的所述硅衬底的厚度。
6.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述硅衬底内形成有接触孔的情况下，所述在所述键合材料层上键合载片晶圆后，所述于所述基底背离所述键合面的一面，刻蚀所述基底以形成第二开口槽前，所述半导体器件的制造方法包括：
平坦化所述基底背离所述键合面的一面，以露出所述接触孔；
在平坦化后的所述基底的表面形成钝化层；
刻蚀所述钝化层以形成钝化窗口，所述钝化窗口与所述接触孔连通；
形成与所述接触孔连通的微凸块或微凸块下金属；所述微凸块或微凸块下金属包括位于所述钝化窗口内的部分，以及位于所述钝化层上的部分。
7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第二开口槽的宽度大于或等于所述第一开口槽的宽度。
8.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述键合材料层的材质为临时键合胶。
9.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为采用权利要求1至8任一项所述的半导体器件的制造方法制造形成。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括硅基光电子芯片。
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