[发明专利]一种半导体器件的制造方法及半导体器件

说明书

本发明公开了一种半导体器件的制造方法及半导体器件，涉及半导体器件制造技术领域，用于避免在键合过程中产生气泡，降低键合失效以及基底破碎的风险，提高半导体器件的工作性能。该半导体器件的制造方法包括：提供一基底，基底具有键合面；于键合面，刻蚀基底位于目标高度以上的部分以形成第一开口槽；在基底上形成覆盖基底和第一开口槽的键合材料层，并在键合材料层上键合载片晶圆；对基底背离键合面的一面进行减薄处理；于基底背离键合面的一面，刻蚀基底以形成第二开口槽，第二开口槽与第一开口槽连通；去除键合材料层和载片晶圆。

技术领域

本发明涉及半导体器件制造技术领域，特别是涉及一种半导体器件的制造方法及半导体器件。

背景技术

在实际的半导体器件制造过程中，有需要通过刻蚀工艺，在所提供的基底的端面形成深槽(其深度为100微米左右)，并对基底的背面进行减薄的操作。例如：在光纤端面耦合过程中，需要通过刻蚀工艺，在所提供的基底的端面形成深槽。该深槽所具有的侧壁是光纤和基底的耦合面。接着对基底背面进行减薄，以使得基底的厚度满足工作要求。

但是，在基底的端面形成深槽后，对基底的背面进行减薄前，需要将基底的正面临时键合在载片晶圆上。在键合过程中，容易在深槽内集聚气泡。气泡的存在会增加基底和载片晶圆键合失效、以及基底破裂的风险。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件的制造方法及半导体器件，在有效避免键合过程中产生气泡的情况下，降低键合失效以及基底破碎的风险，提高半导体器件的工作性能。

为了实现上述目的，本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：

提供一基底，基底具有键合面；

于键合面，刻蚀基底位于目标高度以上的部分以形成第一开口槽；

在基底上形成覆盖基底和第一开口槽的键合材料层，并在键合材料层上键合载片晶圆；

对基底背离键合面的一面进行减薄处理；

于基底背离键合面的一面，刻蚀基底以形成第二开口槽，第二开口槽与第一开口槽连通；

去除键合材料层和载片晶圆。

与现有技术相比，本发明提供的半导体器件的制造方法，刻蚀基底位于目标高度以上的部分所形成的第一开口槽，其深度远小于基底的厚度。为便于后续对基底进行减薄，在基底上形成填充在第一开口槽内以及覆盖在基底的键合面上的键合材料层。在此情况下，因第一开口槽的深度远小于基底的厚度，键合材料层填充在高宽比较小的第一开口槽内，不易形成气泡，从而能够有效降低因气泡的存在而导致的键合失效以及基底破碎的风险，进而提高应用了本发明提供的半导体器件的制造方法而制造形成的半导体器件(例如：硅基光电子芯片)的工作性能。另一方面，由于键合材料层同时覆盖在基底的侧面以及键合面上，在增大键合材料层与基底的接触面积的情况下，可以提高键合材料层与基底的结合紧密性，此时，可以降低键合材料层从基底上脱落的风险。当键合材料层上键合载片晶圆，并对基底的背面进行处理时，可以有效的避免由于键合材料层从基底上脱落而导致的基底破损的风险。

本发明还提供一种半导体器件，半导体器件为采用本发明提供的半导体器件的制造方法制造形成。

与现有技术相比，本发明提供的半导体器件的有益效果与上述技术方案的半导体器件的制造方法的有益效果相同，在此不做赘述。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1是现有技术中在基底正面临时键合载片晶圆后的结构纵向剖视图；

图2是本发明实施例提供的半导体器件的制造方法的流程图；