[发明专利]一种pnp触发的ggnmos结构在审
| 申请号： | 202011232123.X | 申请日： | 2020-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN112289789A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 孙康明 | 申请（专利权）人： | 重庆广播电视大学重庆工商职业学院 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙) 50217 | 代理人： | 蒙捷 |
| 地址： | 400052 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 pnp 触发 ggnmos 结构 | ||
1.一种pnp触发的ggnmos结构，包括基于动态衬底与衬底触发技术的GGNMOS结构，所述GGNMOS结构为多叉指并联版图结构，所述多叉指并联版图结构中位于中间位置的两个叉指为中央叉指，两个中央叉指的漏极连接在一起，其特征在于：两个中央叉指的漏极中间设置有第一N阱区，所述第一N阱区中依次隔离设置有第二N+注入区206、P+注入区103和第三N+注入区207，所述P+注入区103连接IO PAD，所述第二N+注入区206和第三N+注入区207与连接电源端VDD。
2.根据权利要求1所述的一种pnp触发的ggnmos结构，其特征在于：所述多叉指并联版图结构关于P+注入区103中心对称，两个中央叉指分别为关于P+注入区103中心对称的第一中央叉指和第二中央叉指，第一中央叉指和第二中央叉指的漏极为第一N+注入区203，所述第一中央叉指的源极为第四N+注入区202，所述第二中央叉指的源极为第五N+注入区204。
3.根据权利要求2所述的一种pnp触发的ggnmos结构，其特征在于：所述多叉指并联版图结构边缘设置有P+保护环101，所述P+保护环101接地。
4.根据权利要求3所述的一种pnp触发的ggnmos结构，其特征在于：所述P+保护环101和第四N+注入区202之间依次隔离设有第二N阱区和若干P阱区；P+保护环101和第五N+注入区204之间依次隔离设有第三N阱区和若干P阱区；所述P阱区对应多叉指并联版图结构中的叉指，其内设有nmos单元；所述第二N阱区内设有第六N+注入区201，所述第三N阱区内设有第七N+注入区205，第六N+注入区201和第七N+注入区205均连接IO PAD。
5.根据权利要求1或4所述的一种pnp触发的ggnmos结构，其特征在于：所述GGNMOS结构上的隔离结构均为STI结构。
6.根据权利要求4所述的一种pnp触发的ggnmos结构，其特征在于：所述nmos单元的栅极和漏极上均设有SAB硅化层301。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
