[发明专利]存储器的制造方法及存储器

权利要求书

1.一种存储器的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，在所述基底上形成第一隔离层及分立的位线，所述位线沿第一方向延伸，所述第一隔离层位于所述位线远离所述基底的表面且还位于相邻所述位线之间；

去除部分厚度的所述第一隔离层，形成分立的第一沟槽，所述第一沟槽沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向不同；形成填充所述第一沟槽的字线，所述字线与所述位线之间具有部分厚度的所述第一隔离层，所述字线具有相对的第一侧壁及第二侧壁；

在所述字线之间形成分立的通孔，所述通孔暴露所述字线相对的所述第一侧壁、所述第二侧壁及所述位线表面；在暴露的所述第一侧壁表面形成第一介质层，在暴露的所述第二侧壁表面形成第二介质层；所述第一介质层的等效栅介质层厚度大于所述第二介质层的等效栅介质层厚度；

形成所述第一介质层及所述第二介质层后，形成填充所述通孔的有源层。

2.根据权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，形成所述第一介质层及所述第二介质层的步骤包括：在暴露的所述第一侧壁及所述第二侧壁表面形成初始第一介质层，去除所述第二侧壁上的所述初始第一介质层；在剩余的所述初始第一介质层表面及暴露的所述第二侧壁表面形成初始第二介质层；剩余的所述初始第一介质层及覆盖所述初始第一介质层的所述初始第二介质层作为所述第一介质层；覆盖所述第二侧壁表面的所述初始第二介质层作为所述第二介质层。

3.根据权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，形成所述有源层前，还包括步骤：形成位线接触层，所述位线接触层位于所述位线与所述有源层之间。

4.根据权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，形成所述字线后，还包括步骤：在所述字线上形成绝缘盖层；形成所述有源层后，还包括步骤：在所述有源层上形成电容接触层，所述电容接触层还位于所述绝缘盖层之间。

5.根据权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，形成所述位线及所述第一隔离层的步骤包括：在所述基底上形成第二沟槽，在所述第二沟槽中依次形成所述位线及第二隔离层，所述第二隔离层填充满所述第二沟槽；去除所述位线之间及所述第二隔离层之间的所述基底，形成第三沟槽；形成填充满所述第三沟槽的第三隔离层；所述第三隔离层及所述第二隔离层构成所述第一隔离层。

6.根据权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于，形成所述位线及所述第一隔离层的步骤包括：在所述基底上形成第二隔离层，在所述第二隔离层上形成第二沟槽，形成填充所述第二沟槽的位线，在所述位线及所述第二隔离层上形成第三隔离层；所述第二隔离层及所述第三隔离层构成所述第一隔离层。

7.一种存储器的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，在所述基底上形成第一隔离层及分立的位线，所述位线沿第一方向延伸，所述第一隔离层位于所述位线远离所述基底的表面且还位于相邻所述位线之间；

去除部分厚度的所述第一隔离层，形成阵列排布的通孔，所述通孔露出部分所述位线表面，形成填充所述通孔的有源层；

去除部分所述第一隔离层，形成分立的第一沟槽，所述第一沟槽沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向不同；所述第一沟槽暴露出所述有源层相对的第一侧面及第二侧面；

在所述第一侧面形成第一介质层，在所述第二侧面形成第二介质层，所述第一介质层的等效栅介质层厚度大于所述第二介质层的等效栅介质层厚度；

形成所述第一介质层及所述第二介质层后，形成填充所述第一沟槽的字线。

8.根据权利要求7所述的存储器的制造方法，其特征在于，形成所述第一介质层及所述第二介质层的步骤包括：在所述第一侧面及所述第二侧面形成初始第一介质层，去除所述第二侧面上的所述初始第一介质层；在剩余的所述初始第一介质层表面及所述第二侧面上形成初始第二介质层；剩余的所述初始第一介质层及覆盖所述初始第一介质层的所述初始第二介质层作为所述第一介质层；覆盖所述第二侧面的所述初始第二介质层作为所述第二介质层。