[发明专利]存储器的制造方法及存储器

说明书

本发明实施例提供一种存储器的制造方法及存储器，包括：提供基底，在基底上形成第一隔离层及分立的位线，第一隔离层位于位线远离基底的表面且还位于相邻位线之间；去除部分厚度的第一隔离层，形成分立的第一沟槽；形成填充第一沟槽的字线，字线与位线之间具有部分厚度的第一隔离层，字线具有相对的第一侧壁及第二侧壁，在字线之间形成分立的通孔，通孔暴露字线相对的第一侧壁、第二侧壁及位线表面；在第一侧壁表面形成第一介质层，在第二侧壁表面形成第二介质层；第一介质层的等效栅介质层厚度大于第二介质层的等效栅介质层厚度；形成填充通孔的有源层。本发明实施例能够提高字线、位线及有源层的排列密度，进而缩小存储器的尺寸。

技术领域

本发明实施例涉及半导体领域，特别涉及一种存储器的制造方法及存储器。

背景技术

存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件，随机存储器分为静态随机存储器和动态随机存储器。动态随机存储器通常包括电容器以及与电容器连接的晶体管，电容器用来存储代表存储信息的电荷，晶体管是控制电容器的电荷流入和释放的开关。在写入数据时字线给出高电平，晶体管导通，位线向电容器充电。读出时字线同样给出高电平，晶体管导通，电容器放电，使位线获得读出信号。

目前，存储器的尺寸还有待进一步缩小。

发明内容

本发明实施例解决的技术问题为提供一种存储器的制造方法及存储器，以进一步缩小存储器的尺寸。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种存储器的制造方法及存储器，包括：提供基底，在所述基底上形成第一隔离层及分立的位线，所述位线沿第一方向延伸，所述第一隔离层位于所述位线远离所述基底的表面且还位于相邻所述位线之间；去除部分厚度的所述第一隔离层，形成分立的第一沟槽，所述第一沟槽沿所述第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向不同；形成填充所述第一沟槽的字线，所述字线与所述位线之间具有部分厚度的所述第一隔离层，所述字线具有相对的第一侧壁及第二侧壁；在所述字线之间形成分立的通孔，所述通孔暴露所述字线相对的第一侧壁、所述第二侧壁及所述位线表面；在暴露的所述第一侧壁表面形成第一介质层，在暴露的所述第二侧壁表面形成第二介质层；所述第一介质层的等效栅介质层厚度大于所述第二介质层的等效栅介质层厚度；形成所述第一介质层及所述第二介质层后，形成填充所述通孔的有源层。

另外，形成所述第一介质层及所述第二介质层的步骤包括：在暴露的所述第一侧壁及所述第二侧壁表面形成初始第一介质层，去除所述第二侧壁上的所述初始第一介质层；在剩余的所述初始第一介质层表面及暴露的所述第二侧壁表面形成初始第二介质层；剩余的所述初始第一介质层及覆盖所述初始第一介质层的所述初始第二介质层作为所述第一介质层；覆盖所述第二侧壁表面的所述初始第二介质层作为所述第二介质层。

另外，形成所述有源层前，还包括步骤：形成位线接触层，所述位线接触层位于所述位线与所述有源层之间。

另外，形成所述字线后，还包括步骤：在所述字线上形成绝缘盖层；形成所述有源层后，还包括步骤：在所述有源层上形成电容接触层，所述电容接触层还位于所述绝缘盖层之间。

另外，形成所述位线及所述第一隔离层的步骤包括：在所述基底上形成第二沟槽，在所述第二沟槽中依次形成所述位线及第二隔离层，所述第二隔离层填充满所述第二沟槽；去除所述位线之间及所述第二隔离层之间的所述基底，形成第三沟槽；形成填充满所述第三沟槽的第三隔离层；所述第三隔离层及所述第二隔离层构成所述第一隔离层。

另外，形成所述位线及所述第一隔离层的步骤包括：在所述基底上形成第二隔离层，在所述第二隔离层上形成第二沟槽，形成填充所述第二沟槽的位线，在所述位线及所述第二隔离层上形成第三隔离层；所述第二隔离层及所述第三隔离层构成所述第一隔离层。