[发明专利]半导体分立器件的制造方法及其钝化装置有效

专利信息
申请号: 202011235657.8 申请日: 2020-11-09
公开(公告)号: CN112103197B 公开(公告)日: 2021-02-09
发明(设计)人: 李晓锋;黄富强 申请(专利权)人: 浙江里阳半导体有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/67
代理公司: 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 代理人: 郭燕;彭家恩
地址: 317600 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 半导体 分立 器件 制造 方法 及其 钝化 装置
【说明书】:

一种半导体分立器件的制造方法及其钝化装置,方法中由于使用装有钝化胶体溶液的压力容器将钝化胶体溶液喷洒于所述硅片的表面,使所述硅片表面中的沟槽区和台面区均覆盖有预设厚度的钝化胶体溶液,这种将钝化胶体溶液通过压力容器喷洒在硅片表面的方法,能够使得硅片表面的钝化层更均匀,其厚度更容易控制,制作效率更高,由于其均匀性和表面厚度易掌握,提高了该半导体器件的稳定性、可靠性。

技术领域

发明涉及半导体工艺领域,具体涉及一种半导体分立器件的制造方法及其钝化装置。

背景技术

半导体分立器件,泛指半导体晶体二极管、半导体三极管简称三极管、三极管及半导体特殊器件。

在已有技术中,半导体分立器件的制作过程中,PN结台面的形状和覆盖在PN结台面上的钝化保护层的均匀性和厚度会严重影响所制造出的半导体分立器件的性能稳定性,涂覆钝化保护层的方法现在多采用光阻法、刀刮法、电泳法等,其中,电泳法是比较先进的,但是由于所用的电解质为HF/HNO3/NH3/Mn(NO3)2等,在台面沟槽涂覆玻璃粉时,其均匀性和表面厚度一致性不易掌握,难以重复,且玻璃粉容易翻出台面,这严重影响后续引线孔的形成。

发明内容

本发明针对已有技术的不足之处,提供一种新的台面半导体器件的制造方法,使得所制造的钝化层的厚度更容易控制,且更均匀,效率更高,提高了该半导体器件的稳定性、可靠性和耐压性。

根据第一方面,一种实施例中提供一种半导体分立器件的制造方法,包括:

将需要进行钝化的硅片放置在移动吸盘上固定,并使用装有钝化胶体溶液的压力容器将钝化胶体溶液喷洒于所述硅片的表面,使所述硅片表面中的沟槽区和台面区均覆盖有预设厚度的钝化胶体溶液;

将表面覆盖有钝化胶体溶液的硅片送至热风烘干腔中,进行热风烘干;

使用硅胶擦对烘干后的硅片进行反复擦拭,使硅片表面中沟槽区的钝化胶体溶液保留,台面区的钝化胶体溶液被擦掉去除;

对所述硅片进行玻璃烧结、引线孔蚀刻、表面金属化、电性点检测以及切割,以形成半导体分离器件芯片。

一些实施例中,所述钝化胶体溶液为玻璃粉、丁基卡必醇、乙酸乙酯以及纤维素的混合液,其中,玻璃粉:丁基卡必醇:乙酸乙酯:纤维素的比例=50:100-200:100-200:2-5。

一些实施例中,每1000ml钝化胶体溶液包括150g-200g的玻璃粉,300ml-600ml的丁基卡必醇,300ml-600ml的乙酸乙酯,8g-20g的纤维素。

一些实施例中,使用装有钝化胶体溶液的压力容器将钝化胶体溶液喷洒于所述硅片的表面时,所述压力容器喷出钝化胶体溶液的压力为0.1Mpa -0.8Mpa,时间为0.5秒-60秒。

一些实施例中,使用硅胶擦对烘干后的硅片进行反复擦拭,力度为0.5N-6N。

一些实施例中,将表面覆盖有钝化胶体溶液的硅片送至热风烘干腔中,进行热风烘干,烘干时间范围为1min-5min。

一些实施例中,将需要进行钝化的硅片放置在移动吸盘上固定之前,还包括步骤:将硅片进行多重光刻和扩散,在硅片上形成半导体分立器件的电路。

根据第二方面,一种实施例中提供一种用于半导体分立器件玻璃钝化的装置,包括:

至少一个移动吸盘,用于放置硅片,并带动硅片移动;

机械手,用于将硅片放置于所述移动吸盘上或从所述移动吸盘上将硅片取下;

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