[发明专利]QD-miniLED发光器件制作方法及QD-miniLED发光器件有效
| 申请号： | 202011237249.6 | 申请日： | 2020-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN112420895B | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 段淼;李冬泽 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/50;H01L33/56;H01L27/15;H01L33/44 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 李新干 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | qd miniled 发光 器件 制作方法 | ||
1.一种QD-miniLED发光器件制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
对多个第一miniLED单体的表面进行超疏水化处理，得到多个第二miniLED单体；
将所述多个第二miniLED单体转移到TFT阵列基板上，所述多个第二miniLED单体在所述TFT阵列基板上间隔分布；
在所述TFT阵列基板上的多个第二miniLED单体的间隙内填充遮光材料层；
将所述TFT阵列基板与设置有像素化的量子点基板对组贴合，得到QD-miniLED发光器件。
2.根据权利要求1所述的QD-miniLED发光器件制作方法，其特征在于，所述对多个第一miniLED单体的表面进行超疏水化处理的步骤，包括：
对多个第一miniLED单体的表面进行粗糙化处理。
3.根据权利要求2所述的QD-miniLED发光器件制作方法，其特征在于，所述对多个第一miniLED单体的表面进行粗糙化处理的步骤，包括：
在所述多个第一miniLED单体的表面制作一层具有微纳结构的涂层。
4.根据权利要求3所述的QD-miniLED发光器件制作方法，其特征在于，所述在所述多个第一miniLED单体的表面制作一层具有微纳结构的涂层的步骤，包括：
采用化学气相沉淀法在所述多个第一miniLED单体的表面沉积一层具有微纳结构的涂层。
5.根据权利要求3所述的QD-miniLED发光器件制作方法，所述涂层为二氧化硅涂层或者氮化硅涂层。
6.根据权利要求1所述的QD-miniLED发光器件制作方法，其特征在于，所述对多个第一miniLED单体的表面进行超疏水化处理的步骤，包括：
对多个第一miniLED单体的表面进行降低表面能处理。
7.根据权利要求6所述的QD-miniLED发光器件制作方法，其特征在于，所述对多个第一miniLED单体的表面进行降低表面能处理的步骤，包括：
在多个第一miniLED单体的表面涂布表面能低于第一预设值的涂层。
8.根据权利要求7所述的QD-miniLED发光器件制作方法，其特征在于，所述在多个第一miniLED单体的表面涂布表面能低于预设值的涂层的步骤包括：
将氟化剂加入到透光度大于第二预设值的无机物溶液或者有机高分子溶液中进行混合，得到混合后的氟化剂溶液；
将所述氟化剂溶液涂布到所述多个第一miniLED单体的表面，以在所述多个第一miniLED单体的表面形成表面能低于预设值的涂层。
9.根据权利要求1所述的QD-miniLED发光器件制作方法，其特征在于，所述遮光材料层的材料为黑胶或者黑色油墨。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011237249.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
