[发明专利]QD-miniLED发光器件制作方法及QD-miniLED发光器件

说明书

本申请公开了一种QD‑miniLED发光器件制作方法及QD‑miniLED发光器件。该QD‑miniLED发光器件制作方法包括以下步骤：对多个第一miniLED单体的表面进行超疏水化处理，得到多个第二miniLED单体；将所述多个第二miniLED单体转移到TFT阵列基板上，所述多个第二miniLED单体在所述TFT阵列基板上间隔分布；在所述TFT阵列基板上的多个第二miniLED单体的间隙内填充遮光材料层；将所述TFT阵列基板与设置有像素化的量子点基板对组贴合，得到QD‑miniLED发光器件。本申请实施例提供的QD‑miniLED发光器件制作方法通过在miniLED单体的表面进行超疏水化处理，从而降低miniLED单体的表面的浸润性，从而可以避免后续进行遮光材料层的涂布时，遮光材料层在miniLED单体的发光面残留，从而可以提高QD‑miniLED发光器的质量，降低不良率。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种QD-miniLED发光器件制作方法及QD-miniLED发光器件。

背景技术

近年来，量子点显示技术受到了光电领域研究者的广泛关注。相对传统的荧光粉而言，量子点具有发光波长可调、半峰宽较窄、荧光量子效率高、可溶液加工等优势，因此，能够得到高色域高品质的显示画面。特别地，可以将量子点与miniLED相结合，从而发展出QD-miniLED新型显示技术。

一般而言，QD-miniLED显示技术以蓝光miniLED作为背光，利用高能量的蓝光激发红或绿量子点产生相应的红光或绿光，从而实现色转换。这种显示技术相对红、绿、蓝三色miniLED直显技术而言，只需要蓝色miniLED芯片，再结合量子点色转换层，就可以实现全彩化，因此，其工艺和成本可能会相对较低。在开发QD-miniLED显示技术时，由于miniLED芯片的衬底较厚，故容易出现光串扰问题。

发明内容

本申请提供一种QD-miniLED发光器件制作方法及QD-miniLED发光器件，可以避免遮光材料层残留在miniLED单体的上表面，从而可以避免出现光串扰问题，可以提高产品质量，提高产品良率。

第一方面，本申请实施例提供了一种QD-miniLED发光器件制作方法，包括以下步骤：

对多个第一miniLED单体的表面进行超疏水化处理，得到多个第二miniLED单体；

将所述多个第二miniLED单体转移到TFT阵列基板上，所述多个第二miniLED单体在所述TFT阵列基板上间隔分布；

在所述TFT阵列基板上的多个第二miniLED单体的间隙内填充遮光材料层；

将所述TFT阵列基板与设置有像素化的量子点基板对组贴合，得到QD-miniLED发光器件。

在本申请实施例所述的QD-miniLED发光器件制作方法中，所述对多个第一miniLED单体的表面进行超疏水化处理的步骤，包括：

对多个第一miniLED单体的表面进行粗糙化处理。

在本申请实施例所述的QD-miniLED发光器件制作方法中，所述对多个第一miniLED单体的表面进行粗糙化处理的步骤，包括：

在所述多个第一miniLED单体的表面制作一层具有微纳结构的涂层。

在本申请实施例所述的QD-miniLED发光器件制作方法中，所述在所述多个第一miniLED单体的表面制作一层具有微纳结构的涂层的步骤，包括：

采用化学气相沉淀法在所述多个第一miniLED单体的表面沉积一层具有微纳结构的涂层。

在本申请实施例所述的QD-miniLED发光器件制作方法中，所述涂层为二氧化硅涂层或者氮化硅涂层。