[发明专利]衬底支撑板、包括它的衬底处理设备以及衬底处理方法在审
申请号: | 202011237367.7 | 申请日: | 2020-11-09 |
公开(公告)号: | CN112992637A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 金大渊;金材玹;李承桓 | 申请(专利权)人: | ASMIP私人控股有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/67 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 支撑 包括 处理 设备 以及 方法 | ||
1.一种用于支撑待处理衬底的衬底支撑板,所述衬底支撑板包括:
内部,其上表面的面积小于待处理衬底的面积;以及
围绕内部的外围部分,
其中,所述外围部分的上表面在所述内部的上表面下方,并且
所述外围部分包括至少一个路径。
2.根据权利要求1所述的衬底支撑板,
还包括:设置在所述内部上的至少一个垫。
3.根据权利要求1所述的衬底支撑板,
其中,所述路径从外围部分的一部分延伸到外围部分的另一部分。
4.根据权利要求3所述的衬底支撑板,
其中,所述路径包括:
第一部分,其从衬底支撑板的侧表面朝向外围部分延伸;以及
第二部分,其从外围部分朝向衬底支撑板的上表面延伸。
5.根据权利要求1所述的衬底支撑板,
其中,所述路径包括多个路径,并且
所述多个路径相对于衬底支撑板的中心对称地形成。
6.根据权利要求5所述的衬底支撑板,
其中,所述内部包括通孔,其直径不同于所述路径的直径。
7.根据权利要求1所述的衬底支撑板,
其中,从衬底支撑板的中心到所述路径的距离小于待处理衬底的半径。
8.一种衬底处理设备,包括:
衬底支撑板,包括内部,其上表面的面积小于待处理衬底的面积;以及围绕内部的外围部分,其中,所述外围部分的上表面在所述内部的上表面下方;以及
衬底支撑板上的气体供应单元,
其中,所述内部和气体供应单元之间的第一距离小于所述外围部分和气体供应单元之间的第二距离。
9.根据权利要求8所述的衬底处理设备,
其中,当将待处理衬底安装在所述内部上时,待处理衬底与气体供应单元之间的距离为约1mm或更小,并且
所述外围部分和气体供应单元之间的第二距离为约3mm或更大。
10.根据权利要求8所述的衬底处理设备,
其中,所述内部形成衬底支撑板的凸部,并且所述外围部分形成衬底支撑板的凹部。
11.根据权利要求8所述的衬底处理设备,
其中,所述气体供应单元包括多个注入孔,其分布在小于待处理衬底的面积上。
12.根据权利要求11所述的衬底处理设备,
其中,所述多个注入孔分布在小于所述内部的上表面的面积上。
13.根据权利要求8所述的衬底处理设备,
其中,所述气体供应单元包括多个注入孔,并且
在分布有多个注入孔的区域中的气体供应单元的第一下表面与分布有多个注入孔的区域之外的气体供应单元的第二下表面齐平。
14.根据权利要求13所述的衬底处理设备,
其中,待处理衬底的上表面与气体供应单元的第一下表面之间的距离以及待处理衬底的上表面与气体供应单元的第二下表面之间的距离是恒定的,因此,在没有单独的对准操作的情况下,对设置在所述外围部分和气体供应单元之间的待处理衬底的边缘区域上的薄膜进行处理。
15.根据权利要求8所述的衬底处理设备,
其中,在所述衬底支撑板和气体供应单元之间形成反应空间,并且
所述反应空间包括:
在所述内部和气体供应单元之间的第一反应空间;以及
在外围部分和气体供应单元之间的第二反应空间。
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