[发明专利]衬底支撑板、包括它的衬底处理设备以及衬底处理方法在审
申请号: | 202011237367.7 | 申请日: | 2020-11-09 |
公开(公告)号: | CN112992637A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 金大渊;金材玹;李承桓 | 申请(专利权)人: | ASMIP私人控股有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/67 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 支撑 包括 处理 设备 以及 方法 | ||
一种能够选择性地在其斜角区域中处理薄膜的衬底处理设备包括用于支撑待处理衬底的衬底支撑板,衬底支撑板包括:内部,其上表面的面积小于待处理衬底的面积;以及围绕内部的外围部分,其中外围部分的上表面在内部的上表面下方。
相关申请的交叉引用
本申请基于2019年12月02日在美国专利和商标局提交的美国专利申请号62/942617并且在35U.S.C.§119下要求其优先权,其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
一个或多个实施例涉及一种衬底支撑板,更具体地,涉及一种衬底支撑板、包括该衬底支撑板的衬底处理设备以及使用该衬底支撑板的衬底处理方法。
背景技术
当在衬底上形成薄膜时,可以在随后的过程中剥离沉积在衬底的上和下边缘上的部分薄膜。因此,沉积在衬底的上和下边缘上的膜可能充当污染物,例如在反应空间中形成颗粒,这可能导致器件故障率的增加。
图1示出了沉积在衬底边缘上的薄膜。参考图1,薄膜94沉积在衬底91的上表面92、侧表面95和后表面93的一部分上。具体地,沉积在衬底的侧表面95和后表面93的一部分上的膜a和b在随后的过程中被剥离,从而引起反应器和衬底上的结构的污染。
发明内容
一个或多个实施例包括选择性地处理沉积在衬底边缘(例如斜角区域)上的薄膜。更详细地,一个或多个实施例包括能够去除沉积在衬底边缘上的薄膜的衬底处理设备和衬底处理方法。
一个或多个实施例包括选择性地去除衬底边缘比如斜角边缘区域上的薄膜。另外,一个或多个实施例包括通过控制处理参数(例如用于RF功率的供应条件和/或进入气体的流量控制)来确保衬底上的斜角蚀刻宽度的对称性,而与衬底支撑板比如基座上的衬底的对准位置无关。
其他方面将在下面的描述中部分地阐述,并且部分地从描述中将是显而易见的,或者可以通过实践本公开的所呈现的实施例而获知。
根据一个或多个实施例,一种用于支撑待处理衬底的衬底支撑板包括:内部,其上表面的面积小于待处理衬底的面积;以及围绕所述内部的外围部分,其中外围部分的上表面在内部的上表面下方,并且外围部分可包括至少一个路径。
根据衬底支撑板的示例,衬底支撑板还可包括设置在内部上的至少一个垫。
根据衬底支撑板的另一示例,路径可以从外围部分的一部分延伸到外围部分的另一部分。
根据衬底支撑板的另一示例,路径可以包括:第一部分,其从衬底支撑板的侧表面朝向外围部分延伸;以及第二部分,其从外围部分朝向衬底支撑板的上表面延伸。
根据衬底支撑板的另一示例,路径可以包括多个路径,并且多个路径可以相对于衬底支撑板的中心对称地形成。
根据衬底支撑板的另一示例,内部可以包括通孔,其直径不同于路径的直径。
根据衬底支撑板的另一示例,从衬底支撑板的中心到路径的距离可以小于待处理衬底的半径。
根据一个或多个实施例,一种衬底处理设备包括:衬底支撑板,包括内部,该内部的上表面的面积小于待处理衬底的面积;以及围绕所述内部的外围部分,其中外围部分的上表面在内部的上表面下方;以及衬底支撑板上的气体供应单元,其中内部和气体供应单元之间的第一距离可以小于外围部分和气体供应单元之间的第二距离。
根据衬底处理设备的示例,当将待处理衬底安装在内部上时,待处理衬底与气体供应单元之间的距离可以为约1mm或更小,并且外围部分和气体供应单元之间的第二距离可以为约3mm或更大。
根据衬底处理设备的另一示例,内部可以形成衬底支撑板的凸部,并且外围部分可以形成衬底支撑板的凹部。
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