[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其向充电对象元件供给充电电流，

该半导体装置具有：

第1导电型的半导体层；

第2导电型的第1半导体区域，其与所述充电对象元件的第1电极电连接，形成于所述半导体层的主表面；

第1导电型的第2半导体区域，其在所述半导体层的主表面形成于与所述第1半导体区域相邻的位置；

所述第2导电型的第3半导体区域，其被供给电源电压，形成于所述第2半导体区域的表面；

源极电极，其与所述第3半导体区域连接并且被供给所述电源电压；

漏极电极，其与所述第1半导体区域连接并且与所述第1电极电连接；

背栅极电极，其在所述第2半导体区域连接至与所述第3半导体区域分离的区域，并且接地；以及

栅极电极，其以隔着栅极绝缘膜与沟道区域相对的方式配置，该沟道区域位于所述第3半导体区域与所述第1半导体区域之间的所述第2半导体区域，

所述源极电极与所述背栅极电极之间的耐压大于所述电源电压。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置具有所述第2导电型的第4半导体区域，该第4半导体区域在所述第2半导体区域将所述第3半导体区域的周围包围，并且将所述第3半导体区域与所述第2半导体区域隔离，

所述第4半导体区域从所述第3半导体区域的周围延伸至在所述第2半导体区域处与所述第1半导体区域相对并且与所述第1半导体区域分离的区域，

所述沟道区域是在所述第2半导体区域处位于所述第4半导体区域与所述第1半导体区域之间的区域。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置还具有限制电阻，该限制电阻配置于从作为所述电源电压的供给源的电源至所述沟道区域的电流路径上。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述限制电阻是位于所述第3半导体区域与所述沟道区域之间的所述第4半导体区域的部分。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述半导体层的所述主表面形成槽，

所述槽的一部分对所述沟道区域和所述第1半导体区域进行划分，

在所述槽的所述一部分，在面向所述沟道区域的内壁面之上形成所述栅极绝缘膜，

所述栅极电极形成于所述槽的内部，

所述槽从所述半导体层的所述主表面到达与所述第2半导体区域的底部相比的下方，

所述槽的另一部分形成于所述背栅极电极与所述源极电极之间的区域，

所述第2半导体区域包含：第1区域，其与所述槽的所述另一部分相比位于所述背栅极电极侧；以及第2区域，其与所述槽的所述另一部分相比位于所述源极电极侧，包含所述沟道区域，

所述第1半导体区域以经由位于所述槽的所述一部分的下侧的区域而与所述沟道区域相接的方式延伸，

所述半导体装置具有所述第1导电型的延伸区域，该延伸区域在所述半导体层以与所述第1区域、所述第2区域接触的方式形成，

所述延伸区域经由位于所述槽的所述另一部分的下侧的区域，从所述第1区域之下延伸至所述第2区域之下。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述槽在所述半导体层的所述主表面以将所述第3半导体区域包围的方式形成。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述第2半导体区域包含：

第3区域，其在从所述槽的所述一部分观察时位于与所述第2区域侧相反侧；以及

第4区域，其位于所述槽的外侧，将所述第1区域与所述第3区域连接。