[发明专利]半导体装置

说明书

向自举电容(39)供给充电电流的半导体装置具有半导体层(1)、N+型扩散区域(5b)及N型扩散区域(2)、P+型扩散区域(4a)及P型扩散区域(3a)、N+型扩散区域(5a)、源极电极(10b)、漏极电极(10c)、背栅极电极(10a)、栅极电极(9a)。N+型扩散区域(5b)及N型扩散区域(2)与自举电容(39)的第1电极电连接。电源电压(Vcc)供给至N+型扩散区域(5a)。源极电极(10b)与第3半导体区域(N+型扩散区域(5a))连接且被供给电源电压。背栅极电极(10a)连接至与N+型扩散区域(5a)分离的区域，并且接地。源极电极(10b)与背栅极电极(10a)之间的耐压大于电源电压。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

以往，已知具有自举电容的半导体装置(例如，参照欧洲专利申请公开第743752号说明书)。自举电容包含于自举电路中，该自举电路是为了确保向被偏置为高电位的驱动电路供给正确的功率而使用的。就上述那样的半导体装置而言，基本上是作为充电对象元件的自举电容在非常短的时间被充电。因此，如上述欧洲专利申请公开第743752号说明书所公开的那样，自举电容的充电是经由能够替代性地模拟出高耐压二极管的动作的LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)晶体管进行的。

就上述半导体装置而言，从防止由于包含LDMOS晶体管的构造中的寄生晶体管的动作而导致的半导体装置的损伤的观点出发，连接有源极电位控制电路以及背栅极电位控制电路。这些控制电路为了防止寄生晶体管进行动作而对上述LDMOS晶体管的源极电极以及背栅极电极的电位进行控制。上述源极电位控制电路以及背栅极电位控制电路这样的复杂的控制电路成为半导体装置的制造成本增加的主要原因。

发明内容

本发明是为了解决上述课题而提出的，本发明的目的在于提供一种能够抑制成本增加的半导体装置。

本发明所涉及的半导体装置向充电对象元件供给充电电流，该半导体装置具有第1导电型的半导体层、第2导电型的第1半导体区域、第1导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、源极电极、漏极电极、背栅极电极以及栅极电极。第1半导体区域与充电对象元件的第1电极电连接。第1半导体区域形成于半导体层的主表面。第2半导体区域在半导体层的主表面形成于与第1半导体区域相邻的位置。第3半导体区域被供给电源电压，形成于第2半导体区域的表面。源极电极与第3半导体区域连接并且被供给电源电压。漏极电极与第1半导体区域连接并且与第1电极电连接。背栅极电极在第2半导体区域连接至与第3半导体区域分离的区域，并且接地。栅极电极以隔着栅极绝缘膜与沟道区域相对的方式配置，该沟道区域位于第3半导体区域与第1半导体区域之间的第2半导体区域。源极电极与背栅极电极之间的耐压大于电源电压。

本发明的上述以及其它目的、特征、方案以及优点根据与附图关联地理解的关于本发明的下面的详细说明而变得明确。

附图说明

图1是实施方式1所涉及的半导体装置的自举充电系统的电路图。

图2是图1所示的半导体装置的局部剖面示意图。

图3是参考例的半导体装置的自举充电系统的电路图。

图4是图3所示的参考例的半导体装置的局部剖面示意图。

图5是实施方式2所涉及的半导体装置的自举充电系统的电路图。

图6是图5所示的半导体装置的局部剖面示意图。

图7是实施方式3所涉及的半导体装置的局部平面示意图。

图8是图7的线段VIII-VIII处的剖面示意图。

图9是图7的线段IX-IX处的剖面示意图。

图10是实施方式4所涉及的半导体装置的局部平面示意图。