[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，具有位于所述衬底中的第一半导体鳍和第二半导体鳍；

至少一个第一隔离结构，设置在所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍之间；

至少两个第二隔离结构，其中，所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍设置在所述第二隔离结构之间，以及所述第二隔离结构比所述第一隔离结构延伸至所述衬底内更远，所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍中的每个包括被栅极堆叠件覆盖的第一部分和未被所述栅极堆叠件覆盖的第二部分，所述第二部分的顶面低于所述第一隔离结构和所述第二隔离结构的顶面；以及

第一外延结构和第二外延结构，分别设置在由所述第一隔离结构、所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍的所述第二部分限定的凹槽中且与相应的所述第一部分邻接，其中，所述第一外延结构和所述第二外延结构彼此分离，以及所述第一外延结构具有圆形轮廓，以使得具有圆形轮廓的所述第一外延结构高于所述第一半导体鳍的所述第一部分；

保护层，共形地覆盖在所述第一外延结构和所述第二外延结构上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一外延结构包括：

顶部，具有第一宽度；以及

主体部分，设置在所述顶部和所述第一半导体鳍之间，其中，所述主体部分具有窄于所述第一宽度的第二宽度。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一外延结构的至少一个的所述顶部还具有高度，以及所述顶部的高度与所述第一宽度的比率在从0.5至4的范围之内。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述顶部是椭圆柱形。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一隔离结构、其中一个所述第二隔离结构和设置在所述第一隔离结构和所述其中一个所述第二隔离结构之间的其中一个所述半导体鳍一起形成所述凹槽，以及所述第一外延结构的所述主体部分设置在所述凹槽中。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述保护层具有圆形表面。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一隔离结构包括第一部分和第二部分，以及所述半导体器件还包括：

栅极堆叠件，覆盖所述第一隔离结构的所述第一部分同时保留所述第一隔离结构的所述第二部分未被覆盖。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一隔离结构的所述第二部分设置在所述第一外延结构和所述第二外延结构之间。

9.一种半导体器件，包括：

衬底，具有位于所述衬底中的第一半导体鳍和第二半导体鳍；

至少一个第一隔离结构，设置在所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍之间；

多个第二隔离结构，所述第二隔离结构将冠结构限定在所述衬底中，其中，所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍设置在所述第二隔离结构之间，所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍中的每个包括被栅极堆叠件覆盖的第一部分和未被所述栅极堆叠件覆盖的第二部分，所述第二部分的顶面低于所述第一隔离结构和所述第二隔离结构的顶面；以及

第一外延结构，设置在由所述第一隔离结构和所述第一半导体鳍的所述第二部分限定的凹槽中且与所述第一半导体鳍的所述第一部分邻接，以及所述第一外延结构具有非刻面的表面以使得具有所述非刻面的表面的所述第一外延结构高于所述第一半导体鳍的所述第一部分；以及

第二外延结构，设置在在由所述第一隔离结构和所述第二半导体鳍的所述第二部分限定的另一凹槽中且与所述第二半导体鳍的所述第一部分邻接，以及所述第二外延结构具有另一非刻面的表面以使得具有所述非刻面的表面的所述第二外延结构高于所述第二半导体鳍的所述第一部分，其中，间隙形成在所述第一外延结构和所述第二外延结构之间；

保护层，共形地覆盖在所述第一外延结构上。

10.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

在衬底中形成至少一个第一隔离结构和多个第二隔离结构，其中，所述第二隔离结构将冠结构限定在所述衬底中，以及所述第一隔离结构将多个半导体鳍限定在所述冠结构中；

在所述半导体鳍的第一部分和所述第一隔离结构的第一部分上面形成栅极堆叠件，同时保留所述半导体鳍的第二部分和所述第一隔离结构的第二部分未被覆盖；

去除所述半导体鳍的所述第二部分的部分以形成由所述第一隔离结构和剩余的第二部分限定的至少两个凹槽；

分别在所述凹槽中形成邻接所述半导体鳍的所述第一部分的外延结构；以及

去除所述外延结构的部分形成具有非刻面表面的所述外延结构，以使得具有所述非刻面表面的所述外延结构和高于所述半导体鳍的所述第一部分；

共形地形成保护层以覆盖所述外延结构的至少一个。