[发明专利]一种基板翘曲改良的注塑烘烤工艺在审
| 申请号： | 202011239279.0 | 申请日： | 2020-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN112466762A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 韩磊磊;张军军;阳芳芳 | 申请（专利权）人： | 太极半导体（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙) 32246 | 代理人： | 于浩江 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基板翘曲 改良 注塑 烘烤 工艺 | ||
1.一种基板翘曲改良的注塑烘烤工艺，其特征在于：包含升温过程（1）、恒温过程（2）、降温过程（3）、再次升温过程（4）、再次恒温过程（5）和再次降温过程（6）；所述升温过程（1）是在设定的时间内到达设定的峰值温度，之后开始恒温过程（2），在恒温时间达到设定值之后开始降温过程（3），温度降低到设定值之后开始再次升温过程（4），再次升温的温度是在设定的应时间内达到设定的峰值温度，之后便开始再次恒温过程（5），在恒温时间达到设定值之后开始再次降温过程（6）。
2.根据权利要求1所述的基板翘曲改良的注塑烘烤工艺，其特征在于：两次的升温、恒温和降温的设定参数一致。
3.根据权利要求1所述的基板翘曲改良的注塑烘烤工艺，其特征在于：所述升温过程是在35~40分钟的时间内，将温度升至170~180℃。
4.根据权利要求1所述的基板翘曲改良的注塑烘烤工艺，其特征在于：所述恒温过程是在170~180℃下恒温3.9~4.1小时，此时塑封料开始完全固化反应，去除湿气，释放基板与塑封料之间的应力。
5.根据权利要求1所述的基板翘曲改良的注塑烘烤工艺，其特征在于：所述降温过程是将温度降低到50~60℃，开始再次的升温到170~180℃，恒温持续3.9~4.1小时，使塑封料充分固化，释放应力。
6.根据权利要求1所述的基板翘曲改良的注塑烘烤工艺，其特征在于：再次降温过程使炉温下降到50~60℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太极半导体（苏州）有限公司，未经太极半导体（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011239279.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
