[发明专利]一种基板翘曲改良的注塑烘烤工艺在审
申请号: | 202011239279.0 | 申请日: | 2020-11-09 |
公开(公告)号: | CN112466762A | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 韩磊磊;张军军;阳芳芳 | 申请(专利权)人: | 太极半导体(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙) 32246 | 代理人: | 于浩江 |
地址: | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基板翘曲 改良 注塑 烘烤 工艺 | ||
本发明公开了一种基板翘曲改良的注塑烘烤工艺,包含升温过程、恒温过程、降温过程、再次升温过程、再次恒温过程和再次降温过程;升温过程在设定的时间内到达设定的峰值温度,便开始恒温过程,在恒温时间达到设定值便开始降温过程,温度降低到设定值之后开始再次升温过程,再次升温的温度在设定的应时间内达到设定的峰值温度,便开始再次恒温过程,在恒温时间达到设定值便开始再次降温过程;本方案解决了尺寸稍大,且只有1个bock的基板,在一次升温、恒温和降温无法使得产品应力得不到有效释放的问题,避免了基板和塑封料之间应力无法达到一个平衡的状态,使得产品翘曲严重的副作用,提高了后制程的工作效率,最终的良率也明显改善。
技术领域
本发明涉及一种基板翘曲改良的注塑烘烤工艺,属于集成电路封装的塑封烘烤加工工艺技术领域。
背景技术
现有的注塑后的烘烤程序大多为一次性升温、恒温和降温过程,恒温在175℃左右持续约6小时,这种传统烘烤程序可以使得塑封料固化且释放应力,但是对于尺寸稍大,且只有1个bock的基板,在一次升温、恒温和降温无法使得产品应力得到有效释放;基板和塑封料之间应力无法达到一个平衡的状态,带来的副作用就是产品翘曲严重,无法继续在后制程;即使勉强完成了后制程,在终端将单颗产品焊接到板子上时,会出现部分虚焊,造成质量问题。
发明内容
针对上述存在的技术问题,本发明的目的是:提出了一种基板翘曲改良的注塑烘烤工艺。
本发明的技术解决方案是这样实现的:一种基板翘曲改良的注塑烘烤工艺,包含升温过程、恒温过程、降温过程、再次升温过程、再次恒温过程和再次降温过程;所述升温过程在设定的时间内到达设定的峰值温度,便开始恒温过程,在恒温时间达到设定值便开始降温过程,温度降低到设定值之后开始再次升温过程,再次升温的温度在设定的应时间内达到设定的峰值温度,便开始再次恒温过程,在恒温时间达到设定值便开始再次降温过程。
优选的,两次的升温、恒温和降温的设定参数一致。
优选的,所述升温过程是在35~40分钟的时间内,将温度升至170~180℃。
优选的,所述恒温过程是在170~180℃下恒温3.9~4.1小时,此时塑封料开始完全固化反应,去除湿气,释放基板与塑封料之间的应力。
优选的,所述降温过程是将温度降低到50~60℃,开始再次的升温到170~180℃,恒温持续3.9~4.1小时,使塑封料充分固化,释放应力。
优选的,所述再次降温过程使炉温下降到50~60℃。
由于上述技术方案的运用,本发明与现有技术相比具有下列优点:
本方案提供了一种基板翘曲改良的注塑烘烤程序,解决了尺寸稍大,且只有1个bock的基板,在一次升温、恒温和降温无法使得产品应力得不到有效释放的问题,避免了基板和塑封料之间应力无法达到一个平衡的状态,使得产品翘曲严重的副作用,提高了后制程的工作效率,最终的良率也明显改善。
附图说明
下面结合附图对本发明技术方案作进一步说明:
附图1为本发明所述的一种基板翘曲改良的注塑烘烤工艺的温度变化线条示意图;
附图2为塑封料之间的交联反应过程示意图;
附图3为塑封料内部反应和硬度随着烘烤时间变化的示意图。
具体实施方式
下面结合附图来说明本发明。
如图1所示,本发明所述的一种基板翘曲改良的注塑烘烤工艺,包含升温过程1、恒温过程2、降温过程3、再次升温过程4、再次恒温过程5和再次降温过程6;所述升温过程1在设定的时间内到达设定的峰值温度,便开始恒温过程2,在恒温时间达到设定值便开始降温过程3,温度降低到设定值之后开始再次升温过程4,再次升温的温度在设定的应时间内达到设定的峰值温度,便开始再次恒温过程5,在恒温时间达到设定值便开始再次降温过程6。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太极半导体(苏州)有限公司,未经太极半导体(苏州)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011239279.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造