[发明专利]微型LED器件巨量转移方法及装置在审
申请号: | 202011243592.1 | 申请日: | 2020-11-10 |
公开(公告)号: | CN112366168A | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 陈来成;刘卫梦;华聪聪;徐剑峰 | 申请(专利权)人: | 浙江清华柔性电子技术研究院 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L33/48 |
代理公司: | 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 | 代理人: | 聂磊 |
地址: | 314051 浙江省嘉兴*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微型 led 器件 巨量 转移 方法 装置 | ||
1.一种微型LED器件巨量转移方法,其特征在于,包括:
将多个微型LED器件粘附于载体基板;所述载体基板一面涂覆有第一粘性可变材料,多个所述微型LED器件通过所述第一粘性可变材料粘附于所述载体基板;
将所述载体基板上的多个所述微型LED器件与缓冲基板涂覆有第二粘性可变材料的一面抵靠,并调节所述第一粘性可变材料部分区域的粘性,以使所述载体基板上的至少一个所述微型LED器件通过所述第二粘性可变材料粘附于所述缓冲基板上;所述第二粘性可变材料为弹性材料,多个所述微型LED器件附着在所述第二粘性可变材料表层;
将所述缓冲基板上的所述微型LED器件与接收基板上接收微型LED器件的预设位置相对,并调节所述第二粘性可变材料的粘性,将所述缓冲基板上的所述微型LED器件按照预设位置转移到所述接收基板上。
2.根据权利要求1所述的微型LED器件巨量转移方法,其特征在于,所述第一粘性可变材料包括紫外辐照失粘材料。
3.根据权利要求2所述的微型LED器件巨量转移方法,其特征在于,所述调节所述第一粘性可变材料部分区域的粘性包括:
通过紫外光辐照源以及掩模版对所述载体基板进行紫外光辐照,降低所述第一粘性可变材料部分区域的粘性,使所述第一粘性可变材料部分区域的粘性小于所述第二粘性可变材料的粘性。
4.根据权利要求1所述的微型LED器件巨量转移方法,其特征在于,所述第二粘性可变材料的厚度为2um-100um。
5.根据权利要求1所述的微型LED器件巨量转移方法,其特征在于,所述第二粘性可变材料包括温控粘性可变材料。
6.根据权利要求5所述的微型LED器件巨量转移方法,其特征在于,所述调节所述第二粘性可变材料的粘性包括:
对所述缓冲基板进行升温处理,降低所述第二粘性可变材料的粘性,使所述第二粘性可变材料的粘性小于所述接收基板的粘性。
7.根据权利要求1所述的微型LED器件巨量转移方法,其特征在于,所述第一粘性可变材料通过化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、蒸发或旋涂中的至少一种工艺涂覆在所述载体基板上。
8.根据权利要求1所述的微型LED器件巨量转移方法,其特征在于,所述第二粘性可变材料通过化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、蒸发或旋涂中的至少一种工艺涂覆在所述缓冲基板上。
9.一种微型LED器件巨量转移装置,其特征在于,包括载体基板、缓冲基板以及接收基板,其中:
所述载体基板,用于设置多个微型LED器件,所述载体基板一面涂覆有第一粘性可变材料,多个所述微型LED器件通过第一粘性可变材料粘附于所述载体基板;
所述缓冲基板,用于接收从所述载体基板转移的至少一个所述微型LED器件,所述缓冲基板上涂覆有第二粘性可变材料,所述第二粘性可变材料为弹性材料;
所述接收基板,用于接收从所述缓冲基板转移的所述微型LED器件。
10.根据权利要求9所述的微型LED器件巨量转移装置,其特征在于,所述载体基板包括蓝宝石衬底。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造