[发明专利]微型LED器件巨量转移方法及装置在审
申请号: | 202011243592.1 | 申请日: | 2020-11-10 |
公开(公告)号: | CN112366168A | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 陈来成;刘卫梦;华聪聪;徐剑峰 | 申请(专利权)人: | 浙江清华柔性电子技术研究院 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L33/48 |
代理公司: | 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 | 代理人: | 聂磊 |
地址: | 314051 浙江省嘉兴*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微型 led 器件 巨量 转移 方法 装置 | ||
本申请涉及一种微型LED器件巨量转移方法及装置,其中,该微型LED器件巨量转移方法包括:将多个微型LED器件粘附于载体基板;将载体基板上的多个微型LED器件与缓冲基板涂覆有第二粘性可变材料的一面抵靠,并调节第一粘性可变材料部分区域的粘性,以使载体基板上的微型LED器件粘附于缓冲基板上;将缓冲基板上的微型LED器件按照预设位置转移到接收基板上。上述微型LED器件巨量转移方法及装置,通过提供载体基板、缓冲基板以及接收基板,利用第二粘性可变材料进行高效选择性批量转移微型LED,通过缓冲基板吸收转移过程中产生的应力破坏,减少由于贴合产生的应力损失,避免了微型LED器件在巨量转移中破碎,降低了转移难度,转移效果较好。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别是涉及一种微型LED器件巨量转移方法及装置。
背景技术
微型LED器件技术是指以高密度集成在基板上的小尺寸LED阵列。当前,微型LED器件技术正在开发中,并且业界期望高品质的微型LED器件产品进入市场。高质量的微型LED器件将对已经投放市场的传统显示产品(如LCD/OLED)产生深远的影响。
在制造微型LED器件的过程中,首先在载体衬底上形成微型LED器件阵列。载体基底可以是附着基底或中间基底,然后,将微型LED器件阵列转移到显示装置的接收基板,接收基板可以是显示屏或显示面板等,该显示设备可以用在电子设备中,例如自变量现实设备或虚拟现实设备中的微型显示器,手表,手机,电视等等。
微型LED器件(Micro-LED)通常需要通过巨量转移方式将发射红、绿、蓝光的不同Micro-LED器件以特定排列方式转移到同一接收基板上,才能制作成显示可用的RGB像素阵列。
传统的巨量转移方式通过不同材料的粘性随环境条件的变化产生变化的特性进行转移,但从载体衬底转移到接收基板的过程中会产生应力破坏,微型LED器件较脆弱,容易碎裂,转移效果不佳,难度较大。
发明内容
本申请实施例提供了一种微型LED器件巨量转移方法及装置,以至少解决相关技术中传统的巨量转移方式从载体衬底转移到接收基板的过程中会产生应力破坏,微型LED器件较脆弱,容易碎裂,转移效果不佳,难度较大的问题。
第一方面,本申请实施例提供了一种微型LED器件巨量转移的方法转移方法,包括:
将多个微型LED器件粘附于载体基板;所述载体基板一面涂覆有第一粘性可变材料,多个所述微型LED器件通过所述第一粘性可变材料粘附于所述载体基板;
将所述载体基板上的多个所述微型LED器件与缓冲基板涂覆有第二粘性可变材料的一面抵靠,并调节所述第一粘性可变材料部分区域的粘性,以使所述载体基板上的至少一个所述微型LED器件通过所述第二粘性可变材料粘附于所述缓冲基板上;所述第二粘性可变材料为弹性材料,多个所述微型LED器件附着在所述第二粘性可变材料表层;
将所述缓冲基板上的所述微型LED器件与接收基板上接收微型LED器件的预设位置相对,并调节所述第二粘性可变材料的粘性,将所述缓冲基板上的所述微型LED器件按照预设位置转移到所述接收基板上。
在其中一些实施例中,所述第一粘性可变材料包括紫外辐照失粘材料。
在其中一些实施例中,所述调节所述第一粘性可变材料部分区域的粘性包括:
通过紫外光辐照源以及掩模版对所述载体基板进行紫外光辐照,降低所述第一粘性可变材料部分区域的粘性,使所述第一粘性可变材料部分区域的粘性小于所述第二粘性可变材料的粘性。
在其中一些实施例中,所述第二粘性可变材料的厚度为2um-100um。
在其中一些实施例中,所述第二粘性可变材料包括温控粘性可变材料。
在其中一些实施例中,所述调节所述第二粘性可变材料的粘性包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造