[发明专利]一种二极管正向压降的测试方法在审

专利信息
申请号: 202011245124.8 申请日: 2020-11-10
公开(公告)号: CN113433443A 公开(公告)日: 2021-09-24
发明(设计)人: 石永维;杨微;常敏丰 申请(专利权)人: 吉林瑞能半导体有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 吉林新发惠利知识产权代理事务所(普通合伙) 22216 代理人: 纪尚
地址: 132013 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 一种 二极管 正向 测试 方法
【权利要求书】:

1.一种二极管正向压降的测试方法,其特征在于包括以下步骤:

第一步:使用探针台测试1安培下的正向压降,设符号:V1;

第二步:测试一半设计安培下的正向压降,设符号:V2;

第三步:测试设计安培下的正向压降,设符号:V3;

通过公式:正向压降VF=V3-﹝设计安培*(V1+V3-2*V2)/修正参数﹞,计算得到综合的二极管正向压降VF。

2.根据权利要求1所述的一种二极管正向压降的测试方法,其特征在于,所述公式:正向压降VF=V3-﹝设计安培*(V1+V3-2*V2)/修正参数﹞用于二极管测试正向压降条件为5A及以下的情况使用时,修正参数=1;用于二极管测试正向压降条件为8A的情况使用时,修正参数=1.35;用于二极管测试正向压降条件为10A的情况使用时,修正参数=1.7。

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