[发明专利]一种二极管正向压降的测试方法在审
申请号: | 202011245124.8 | 申请日: | 2020-11-10 |
公开(公告)号: | CN113433443A | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 石永维;杨微;常敏丰 | 申请(专利权)人: | 吉林瑞能半导体有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 吉林新发惠利知识产权代理事务所(普通合伙) 22216 | 代理人: | 纪尚 |
地址: | 132013 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 二极管 正向 测试 方法 | ||
1.一种二极管正向压降的测试方法,其特征在于包括以下步骤:
第一步:使用探针台测试1安培下的正向压降,设符号:V1;
第二步:测试一半设计安培下的正向压降,设符号:V2;
第三步:测试设计安培下的正向压降,设符号:V3;
通过公式:正向压降VF=V3-﹝设计安培*(V1+V3-2*V2)/修正参数﹞,计算得到综合的二极管正向压降VF。
2.根据权利要求1所述的一种二极管正向压降的测试方法,其特征在于,所述公式:正向压降VF=V3-﹝设计安培*(V1+V3-2*V2)/修正参数﹞用于二极管测试正向压降条件为5A及以下的情况使用时,修正参数=1;用于二极管测试正向压降条件为8A的情况使用时,修正参数=1.35;用于二极管测试正向压降条件为10A的情况使用时,修正参数=1.7。
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