[发明专利]一种二极管正向压降的测试方法

说明书

本发明涉及一种二极管正向压降的测试方法，通过三步测量不同设计安培下的正向压降，并经过公式计算，显著地减轻了探针台上电阻对测量结果的影响，并且不同的设计安培下正向压降的计算，辅以修正参数，能够得到有效的准确的数值作为二极管通过和失效的依据。

技术领域

本发明涉及二极管芯片制造领域中的测试部分，具体的，涉及一种二极管正向压降的测试方法。

背景技术

二极管的正向压降就是二极管正向导通时两端的电压，是二极管的一项关键参数，其测量数值直接影响二极管判断通过和失效的准确性，二极管在晶圆阶段测试正向压降通常采用探针台进行测量，探针台主要用途是为半导体芯片的电参数测试提供一个测试平台，探针台可装载多种规格芯片，并提供多个可调测试针以及探针座，配合测量仪器可完成集成电路的电压、电流、电阻以及电容电压特性曲线等参数检测，适用于对芯片进行科研分析，抽查测试等用途。但探针台进行二极管正向压降的测量时，由于每个探针台设备本身具有电阻，而且电阻不同，导致同一个芯片在不同的探针台上测试得到不同的值，影响了产品的判断。

因此，需要发明一种二极管正向压降的测试方法，能够克服以上的技术缺陷，有效的减轻了探针台设备电阻对正向压降测量结果的影响。

发明内容

本发明的目的在于提供一种二极管正向压降的测试方法，用此测试方法能够减小探针台设备电阻对测试二极管正向压降的影响。

为达到以上目的，提供以下技术方案：

一种二极管正向压降的测试方法，包括以下步骤：

第一步：使用探针台测试1安培下的正向压降，设符号：V1；

第二步：测试一半设计安培下的正向压降,设符号:V2；

第三步：测试设计安培下的正向压降,设符号：V3；

通过公式：正向压降VF＝V3-﹝设计安培*(V1+V3-2*V2)/修正参数﹞，计算得到综合的二极管正向压降VF。

优选地，所述公式：正向压降VF＝V3-﹝设计安培*(V1+V3-2*V2)/修正参数﹞用于二极管测试正向压降条件为5A及以下的情况使用时，修正参数＝1；用于二极管测试正向压降条件为8A的情况使用时，修正参数＝1.35；用于二极管测试正向压降条件为10A的情况使用时，修正参数＝1.7。

本发明的有益效果为：

本发明使用了三步测试正向压降VF的方法，并经过计算，减轻探针台设备电阻影响的部分，使得不同硅片在不同探针台上测试值差别很小，能够得到有效的准确的数值作为二极管通过和失效的依据，经过测量比对，改进前的测试结果：探针台对二极管的测试值影响大，约为4％，改进后的测试结果：探针台对二极管的测试值影响减小，约为1％。

具体实施方式

一种二极管正向压降的测试方法，包括以下步骤：

第一步：使用探针台测试1安培下的正向压降，设符号：V1；

第二步：测试一半设计安培下的正向压降,设符号:V2；

第三步：测试设计安培下的正向压降,设符号：V3；

通过公式：正向压降VF＝V3-﹝设计安培*(V1+V3-2*V2)/修正参数﹞，计算得到综合的二极管正向压降VF。

其中，公式：正向压降VF＝V3-﹝设计安培*(V1+V3-2*V2)/修正参数﹞用于二极管测试正向压降条件为5A及以下的情况使用时，修正参数＝1；用于二极管测试正向压降条件为8A的情况使用时，修正参数＝1.35；用于二极管测试正向压降条件为10A的情况使用时，修正参数＝1.7。