[发明专利]显示基板及制备方法在审
申请号: | 202011245154.9 | 申请日: | 2020-11-10 |
公开(公告)号: | CN112420745A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 卢马才 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/15;H01L27/32;H01L29/786;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 高杨丽 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 制备 方法 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,所述显示基板至少包括:衬底基板以及分别形成于所述衬底基板上的第一薄膜晶体管、存储电容、第二薄膜晶体管和发光单元,且所述第一薄膜晶体管为无遮光层的薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管为具有顶部遮光层的薄膜晶体管;所述第二薄膜晶体管还包括设置于所述衬底基板上的缓冲层、设置于所述缓冲层上的第二有源层、设置于所述第二有源层上的第二栅极绝缘层、设置于所述第二栅极绝缘层上的第二栅极、设置于所述第二有源层上并完全覆盖所述第二栅极绝缘层以及所述第二栅极的第二层间绝缘层、设置于所述第二层间绝缘层边缘两端的第二漏极和第二源级、设置于所述第二层间绝缘层上的遮光层以及完全覆盖所述第二漏极、所述第二源级和所述遮光层的钝化层;
其中,所述第二漏极、所述第二源级和所述遮光层均通过第一金属薄膜经图案化后形成,所述遮光层完全覆盖所述第二栅极所在的区域,且所述遮光层的第一端延伸至所述第二漏极所在的区域。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述遮光层的边缘两端至所述第二栅极的边缘两端之间在水平方向上的距离分别为0-5um。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述遮光层还具有与所述第一端相对的第二端,所述第二端与所述第二源级电连接。
4.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述遮光层为电悬挂状态,所述遮光层的所述第一端未电连接所述第二漏极,与所述第一端相对的第二端未电连接所述第二源级。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管还包括所述缓冲层、设置于所述缓冲层上并与所述第二有源层间隔设置的第一有源层、设置于所述第一有源层上的第一栅极绝缘层、设置于所述第一栅极绝缘层上的第一栅极、设置于所述第一有源层上并完全覆盖所述第一栅极绝缘层以及所述第一栅极的第一层间绝缘层、设置于所述第一层间绝缘层边缘两端的第一漏极与第一源级以及所述钝化层。
6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述存储电容还包括所述缓冲层、设置于所述缓冲层上的第三栅极绝缘层、设置于所述第三栅极绝缘层上的第一金属层、设置于所述第一金属层上的第三层间绝缘层、设置于所述第三层间绝缘层上的第二金属层以及所述钝化层。
7.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述发光单元包括微型发光二极管发光层或者有机发光二极管发光单元。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述Micro-LED发光单元包括Micro-LED半导体层、连接电极、第一电极以及第二电极,所述第一电极通过焊接层与所述显示基板上的像素电极电连接,所述第二电极通过另一所述焊接层与所述显示基板上的公共电极电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的