[发明专利]显示基板及制备方法

说明书

一种显示基板，至少包括：衬底基板以及第一薄膜晶体管、存储电容、第二薄膜晶体管和发光单元，且所述第一薄膜晶体管为无遮光层的薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为具有顶部遮光层的薄膜晶体管；所述第二薄膜晶体管还包括缓冲层、第二有源层、第二栅极绝缘层、第二栅极、第二层间绝缘层、第二漏极和第二源级、遮光层以及钝化层；其中，所述第二漏极、所述第二源级和所述遮光层均通过第一金属薄膜经图案化后形成，所述遮光层完全覆盖所述第二栅极所在的区域，且所述遮光层的第一端延伸至所述第二漏极所在的区域。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及制备方法。

背景技术

目前，有机发光二极体(Organic Light-Emitting Diode，OLED)或者微型发光二极管(Micro Light-Emitting Diode，Micro-LED)作为电流驱动器件，需要较大的电流通过能力、较好的器件稳定性、面内阈值电压(Threshold Voltage，V_th)的均匀性以及低漏电流等特性。研究发现，顶栅自对准氧化物半导体薄膜晶体管(Top Gate IGZO Thin FilmTransistor)具有较高的迁移率，较小寄生电容和低漏电流，比较适合作为电流驱动显示电路。对于底发射类显示基板而言，驱动薄膜晶体管(TFT)底部最好带有光阻挡层，可以阻挡环境光对TFT的特性影响，以及金属类的遮光层连接到源极之后对TFT的输出特性曲线有稳定作用。

然而，带有遮光层的顶栅自对准氧化物半导体薄膜晶体管(Top Gate IGZO ThinFilm Transistor)最少需要8道掩膜版(Mask)。由于掩膜版(Mask)造价昂贵，采用多次构图工艺制备显示基板，工艺复杂，且开发费用较高。同时，随着显示器的发展，越来越多的顶部出光的自发光类显示成为主流，对于TFT的遮光也有新的要求。

综上所述，因此需提供一种显示基板及制备方法，以解决上述技术问题。

发明内容

本发明提供一种显示基板及制备方法，以解决现有的显示基板及制备方法，由于带有遮光层的顶栅自对准氧化物半导体薄膜晶体管最少需要8道掩膜版，导致工艺复杂且开发费用较高的技术问题。

为达到上述目的，本发明实施例采用如下技术方案：

本发明实施例提供一种显示基板，所述显示基板至少包括：衬底基板以及分别形成于所述衬底基板上的第一薄膜晶体管、存储电容、第二薄膜晶体管和发光单元，且所述第一薄膜晶体管为无遮光层的薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为具有顶部遮光层的薄膜晶体管；所述第二薄膜晶体管还包括设置于所述衬底基板上的缓冲层、设置于所述缓冲层上的第二有源层、设置于所述第二有源层上的第二栅极绝缘层、设置于所述第二栅极绝缘层上的第二栅极、设置于所述第二有源层上并完全覆盖所述第二栅极绝缘层以及所述第二栅极的第二层间绝缘层、设置于所述第二层间绝缘层边缘两端的第二漏极和第二源级、设置于所述第二层间绝缘层上的遮光层以及完全覆盖所述第二漏极、所述第二源级和所述遮光层的钝化层；

其中，所述第二漏极、所述第二源级和所述遮光层均通过第一金属薄膜经图案化后形成，所述遮光层完全覆盖所述第二栅极所在的区域，且所述遮光层的第一端延伸至所述第二漏极所在的区域。

在一些实施例中，所述遮光层的边缘两端至所述第二栅极的边缘两端之间在水平方向上的距离分别为0-5um。

在一些实施例中，所述遮光层还具有与所述第一端相对的第二端，所述第二端与所述第二源级电连接。

在一些实施例中，所述遮光层为电悬挂状态，所述遮光层的所述第一端未电连接所述第二漏极，与所述第一端相对的第二端未电连接所述第二源级。