[发明专利]发热体及其制备方法、雾化器和电子装置在审
申请号: | 202011246598.4 | 申请日: | 2020-11-10 |
公开(公告)号: | CN112493556A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 周宏明;秦海霞;朱彩强;周前远;戴晋;范农杰 | 申请(专利权)人: | 深圳麦克韦尔科技有限公司 |
主分类号: | A24F40/46 | 分类号: | A24F40/46;B28B23/00 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 林青中 |
地址: | 518102 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发热 及其 制备 方法 雾化器 电子 装置 | ||
1.一种发热体,其特征在于,包括:
多孔陶瓷基体,所述多孔陶瓷基体为碳化硅多孔陶瓷基体,所述多孔陶瓷基体的导热系数在0.3W/(m·K)以上,以质量份数计,制备所述多孔陶瓷基体的原料包括:10份~50份的SiC、10份~30份的玻璃粉和15份~30份的造孔剂;及
发热件,位于所述多孔陶瓷基体上,包括发热部和与所述发热部电连接的连接部。
2.根据权利要求1所述的发热体,其特征在于,所述多孔陶瓷的导热系数为0.3W/(m·K)~5W/(m·K)。
3.根据权利要求1所述的发热体,其特征在于,所述多孔陶瓷基体的孔隙率为40%~70%,所述多孔陶瓷基体的气孔的孔径为12μm~30μm。
4.根据权利要求1~3任一项所述的发热体,其特征在于,所述多孔陶瓷体基体为中空结构,所述多孔陶瓷基体的中空部位形成流体通道,所述发热部内嵌于所述多孔陶瓷基体中且靠近所述流体通道。
5.根据权利要求4所述的发热体,其特征在于,所述多孔陶瓷基体呈中空的圆管状,所述多孔陶瓷基体的内径为1.5mm~2.5mm;
及/或,所述多孔陶瓷基体的外径为2.5mm~5.5mm;
及/或,所述多孔陶瓷基体的厚度为0.5mm~1.5mm。
6.根据权利要求5所述的发热体,其特征在于,所述发热部靠近所述流体通道的通道壁并绕所述通道壁呈螺旋状分布,螺距为0.3mm~1.5mm。
7.根据权利要求6所述的发热体,其特征在于,所述发热部呈等距螺旋状。
8.根据权利要求5~7任一项所述的发热体,其特征在于,所述发热部包括两根发热丝,所述发热丝的横截面为圆形,两根所述发热丝的间隔距离为所述发热丝的直径的0倍~4倍。
9.根据权利要求8所述的发热体,其特征在于,所述发热丝的直径为0.1mm~0.3mm。
10.根据权利要求1~3、5~7及9任一项所述的发热体,其特征在于,所述连接部为两个,两个连接部分别与所述发热部电连接,两个连接部与所述多孔陶瓷基体的外周面相交而形成两个交点,两个所述交点的连线与所述多孔陶瓷基体的中心轴相交。
11.一种发热体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
将制备多孔陶瓷基体的原料混合,制备混合料,以质量份数计,制备所述多孔陶瓷基体的原料包括:10份~50份的SiC、10份~30份的玻璃粉和15份~30份的造孔剂;及
将所述混合料与发热件一起按照预设形状成型后,排胶及烧结,制备发热体;其中,所述发热件包括发热部和与所述发热部电连接的连接部,所述发热部位于所述多孔陶瓷基体上,所述多孔陶瓷基体的导热系数在0.3W/(m·K)以上。
12.根据权利要求11所述的发热体的制备方法,其特征在于,制备所述多孔陶瓷基体的原料还包括助剂,所述助剂包括Al2O3、硅藻土及粘土中的至少一种;所述Al2O3质量份数为5份~25份;及/或,所述硅藻土的质量份数为5份~15份;及/或,粘土的质量份数为2份~15份。
13.根据权利要求11所述的发热体的制备方法,其特征在于,以质量份数计,制备所述多孔陶瓷基体的原料包括:20份~30份的SiC、5份~25份的Al2O3、5份~15份的硅藻土、10份的粘土、20份的玻璃粉及20份的造孔剂。
14.根据权利要求11~13任一项所述的发热体的制备方法,其特征在于,所述造孔剂选自聚甲基丙烯酸甲酯、淀粉、聚苯乙烯、碳粉、石墨中的至少一种。
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