[发明专利]一种侧壁保护工艺制备高精度银电极的方法

权利要求书

1.一种侧壁保护工艺制备高精度银电极的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)、ITO/Ag/ITO结构光刻；

2)、对上层ITO和Ag湿法刻蚀；

3)、C₄F₈沉积钝化层；

4)、SF₆刻蚀；

5)、下层ITO湿法刻蚀；

6)、去除光刻胶和C₄F₈钝化层；

步骤3)中C₄F₈沉积钝化层具体为：沉积时间10-30s，电源功率power 200-500W，C₄F₈流量10-20sccm，压力3-10mt，温度30-50℃；

步骤4)中SF₆刻蚀工艺参数：时间30-50s，电源功率power 300-400W，SF₆流量30-50sccm，压力3-10mt，温度30-50℃；

所述方法处理后电极CD loss小于0.1μm。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)中所述ITO/Ag/ITO结构中，从下到上依次为ITO层、Ag层和ITO层，其中上层ITO层和下层ITO层厚度均为Ag层厚度为

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)中所述光刻，PR层厚度0.8-2μm，固化能量50-500mJ。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)中，对上层ITO湿刻，刻蚀溶液采用草酸。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)中Ag湿刻时间为10-20s，采用硝酸/磷酸/醋酸混合液刻蚀。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5)中，下层ITO湿法刻蚀具体为：ITO湿刻20-50s，刻蚀液为草酸或者硝化混酸；所述硝化混酸是指硝酸/磷酸/醋酸混酸，质量分数比为10-30％：40-50％：20-50％。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤6)具体为：使用O₂等离子体灰化或者剥离液浸泡去除光刻胶和C₄F₈钝化层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述O₂等离子体灰化工艺参数为：处理时间60-120s，电源功率power 300-400W，O₂流量300-500sccm，压力10-30mt，温度30-50℃；

或，选择NMP剥离液浸泡120-240s。