[发明专利]一种侧壁保护工艺制备高精度银电极的方法

说明书

本发明提供了一种侧壁保护工艺制备高精度银电极的方法，利用Bosch工艺的侧壁保护机理和Ag湿刻后的底切形貌，Ag刻蚀后，Bosch工艺C₄F₈沉积钝化聚合物，再SF₆刻蚀底部和顶部的聚合物，保留侧壁钝化层聚合物作为保护层，保护底部ITO刻蚀时Ag不被刻蚀，从而减少CD loss。使用Bosch侧壁保护刻蚀工艺，能够把CD loss由一步湿刻的1um减小到小于0.1um，满足超高分辨率显示需求。

技术领域

本发明属于硅基Micro OLED微显示领域，具体涉及一种侧壁保护工艺制备高精度银电极的方法。

背景技术

由于Ag反射率高达98％，被广泛应用于顶发射有机发光二极管器件，但是由于银(Ag)只能使用湿法刻蚀工艺，CD loss较大(1μm)，所以Ag电极结构没办法应用到硅基微显、数字微镜器件(DMD)等超高分辨率显示上。目前超高分辨率显示主要使用铝(Al)电极，但是铝反射率低(-91％),而且Al容易在在退火工艺中由于应力集中和释放导致突刺(hillock)和凹坑，表面平整度差；铝导电性差，电迁移严重，尤其是电阻随着像素尺寸变小越来越大，电迁移越来越严重，电学可靠性变差。而Ag不存在应力变化导致的表面平整度差的问题，Ag导电性好，所以开发高精度、高反射率，高导电性银电极对超高分辨显示很有意义。

目前Ag电极主要使用ITO/Ag/ITO结构，硝化混酸(硝酸、磷酸、醋酸)一步刻蚀工艺，硝化混酸ITO刻蚀速率慢，Ag刻蚀速率很快，在刻下层ITO时刻蚀时间长，会导致Ag CDloss很大。

发明内容

本发明的目的在于提供一种侧壁保护工艺制备高精度银电极的方法，利用Bosch工艺的侧壁保护机理和Ag湿刻后的底切形貌，Ag刻蚀后，Bosch工艺C₄F₈沉积钝化聚合物，再SF₆刻蚀底部和顶部的聚合物，保留侧壁钝化层聚合物作为保护层，保护底部ITO刻蚀时Ag不被刻蚀，从而减少CD loss。使用Bosch侧壁保护刻蚀工艺，能够把CD loss由一步湿刻的1μm减小到小于0.1μm，满足超高分辨率显示需求。

本发明具体技术方案如下：

一种侧壁保护工艺制备高精度银电极的方法，包括以下步骤：

1)、ITO/Ag/ITO结构光刻；

2)、对上层ITO和Ag湿法刻蚀；

3)、C₄F₈沉积钝化层；

4)、SF₆刻蚀；

5)、下层ITO湿法刻蚀；

6)、去除光刻胶和C₄F₈钝化层。

进一步的，步骤1)中所述ITO/Ag/ITO结构中，从下到上依次为ITO层、Ag层和ITO层，其中上层ITO层和下层ITO层厚度均为100-500A，Ag层厚度为1000-5000A；

所述光刻，PR层厚度0.8-2μm，固化能量50-500mj；

步骤2)中，对上层ITO湿刻，未被光刻胶保护的位置去除上层ITO，刻蚀溶液采用草酸，时间20-50s，草酸对ITO/Ag选择比很高，不刻蚀Ag，只刻蚀ITO；

步骤2)中，所用的草酸浓度没有限制，使用行业常用市售草酸均可，质量分数一般在2-10wt％。

步骤2)中Ag湿刻去除采用硝化混酸刻蚀，时间为10-20s，硝化混酸不刻ITO，刻完Ag停止到ITO上；

硝化混酸浓度没有限制，使用行业常用市售硝化混酸，一般为硝酸/磷酸/醋酸混酸，质量分数比为10-30％：40-50％：20-50％。