[发明专利]一种micro LED芯片的光疗仪治疗头的制备方法

权利要求书

1.一种micro LED芯片的光疗仪治疗头的制备方法，包括以下步骤：

a)在蓝宝石衬底上依次沉积牺牲层和外延层，得到层结构；所述牺牲层为GaN牺牲层；

所述外延层为由nGaN层、InGaN量子阱层和pGaN层组成的外延层；

b)将步骤a)得到的层结构进行图形化，并根据图形化要求剥离外延层，得到剥离好外延层的结构；所述剥离外延层的方式为激光扫描辐照；所述激光扫描辐照所用的设备为紫外激光器；所述紫外激光器进行激光扫描辐照的波长为270nm～275nm，能量密度为200mJ/cm²～5000mJ/cm²；

c)将步骤b)得到的剥离好外延层的结构进行芯片制作并将其与线路板连接，再将蓝宝石衬底分离，得到固定在电路板上的芯片；

d)将步骤c)得到的固定在电路板上的芯片封装，得到micro LED芯片的光疗仪治疗头。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤a)中所述沉积的过程采用MOCVD设备、MBE设备或PECVD设备。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤b)中所述图形化的过程采用菲林版；所述菲林版漏出的部分是需要和衬底分离的外延层部分，所述菲林版遮住的部分是不需要和衬底分离的外延层部分。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述激光扫描辐照的过程具体为：

在紫外激光器作用下，紫外光透过蓝宝石衬底，辐照需要剥离的外延层，使蓝宝石衬底和需要剥离的外延层部分发生分离，不需要剥离的外延层部分留下，得到剥离好外延层的结构。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤c)中所述芯片制作并将其与线路板连接的过程具体为：

将剥离好外延层的结构蒸镀上电极，得到芯片；然后使用锡膏或银胶，将芯片的电极与线路板连接。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤c)中所述将蓝宝石衬底分离的方式为激光扫描辐照；所述激光扫描辐照所用的设备为紫外激光器。