[发明专利]一种micro LED芯片的光疗仪治疗头的制备方法有效
申请号: | 202011249224.8 | 申请日: | 2020-11-10 |
公开(公告)号: | CN112382644B | 公开(公告)日: | 2022-11-15 |
发明(设计)人: | 罗轶;张健;郭庆霞;易斌 | 申请(专利权)人: | 北京创盈光电医疗科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L21/67;H01L33/32;A61N5/06;A61B18/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 杨威 |
地址: | 100176 北京市北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 micro led 芯片 光疗 治疗 制备 方法 | ||
本发明提供了一种micro LED芯片的光疗仪治疗头的制备方法,包括以下步骤:a)在蓝宝石衬底上依次沉积牺牲层和外延层,得到层结构;b)将步骤a)得到的层结构进行图形化,并根据图形化要求剥离外延层,得到剥离好外延层的结构;c)将步骤b)得到的剥离好外延层的结构进行芯片制作并将其与线路板连接,再将蓝宝石衬底分离,得到固定在电路板上的芯片;d)将步骤c)得到的固定在电路板上的芯片封装,得到micro LED芯片的光疗仪治疗头。与现有技术相比,本发明提供的制备方法解决了目前micro LED芯片巨量转移困难的问题,效率高;同时省去了光疗仪复杂的匀光结构,提高光疗仪光照剂量的均匀度,减薄了光疗仪的厚度。
技术领域
本发明涉及LED及光医疗器械技术领域,更具体地说,是涉及一种micro LED芯片的光疗仪治疗头的制备方法。
背景技术
光疗作为一种治疗疾病的手段可追溯到1903年,丹麦科学家芬森因发明紫外线光疗法治疗皮肤病获得诺贝尔生理学或医学奖。由于当时的光疗受到光源的限制,很难满足治疗的要求,因而没有得到广泛推广。
LED光源作为新一代的照明产品,具有低能耗、省电、使用寿命长、体积小、反应快等特点,被逐渐利用在光疗仪产品上。但是,LED芯片随着技术迭代,尺寸越来越小,亮度越来越高,使得LED光源所发出的光线并非均匀的分散照射于皮肤上,长期使用,会导致光照剂量分布不均匀,影响光疗仪的治疗效果。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种micro LED芯片的光疗仪治疗头的制备方法,本发明提供的制备方法解决了目前micro LED芯片巨量转移困难的问题,同时省去了光疗仪复杂的匀光结构,提高光疗仪光照剂量的均匀度,减薄了光疗仪的厚度。
本发明提供了一种micro LED芯片的光疗仪治疗头的制备方法,包括以下步骤:
a)在蓝宝石衬底上依次沉积牺牲层和外延层,得到层结构;
b)将步骤a)得到的层结构进行图形化,并根据图形化要求剥离外延层,得到剥离好外延层的结构;
c)将步骤b)得到的剥离好外延层的结构进行芯片制作并将其与线路板连接,再将蓝宝石衬底分离,得到固定在电路板上的芯片;
d)将步骤c)得到的固定在电路板上的芯片封装,得到micro LED芯片的光疗仪治疗头。
优选的,步骤a)中所述沉积的过程采用MOCVD设备、MBE设备或 PECVD设备。
优选的,步骤a)中所述牺牲层为GaN牺牲层;
所述外延层包括nGaN层、InGaN量子阱层和pGaN层中的一种或多种。
优选的,步骤b)中所述图形化的过程采用菲林版;所述菲林版漏出的部分是需要和衬底分离的外延层部分,所述菲林版遮住的部分是不需要和衬底分离的外延层部分。
优选的,步骤b)中所述剥离外延层的方式为激光扫描辐照;所述激光扫描辐照所用的设备为紫外激光器。
优选的,所述紫外激光器进行激光扫描辐照的波长为248nm~450nm,能量密度为200mJ/cm2~5000mJ/cm2。
优选的,所述激光扫描辐照的过程具体为:
在紫外激光器作用下,紫外光透过蓝宝石衬底,辐照需要剥离的外延层,使蓝宝石衬底和需要剥离的外延层部分发生分离,不需要剥离的外延层部分留下,得到剥离好外延层的结构。
优选的,步骤c)中所述芯片制作并将其与线路板连接的过程具体为:
将剥离好外延层的结构蒸镀上电极,得到芯片;然后使用锡膏或银胶,将芯片的电极与线路板连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京创盈光电医疗科技有限公司,未经北京创盈光电医疗科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011249224.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的