[发明专利]晶圆制造方法及其制成的芯片和光学生物识别模组在审
| 申请号： | 202011251552.1 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112308007A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 姜桐;黄昊;姜洪霖;杨成龙 | 申请（专利权）人： | 上海菲戈恩微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G06K9/00 | 分类号： | G06K9/00;G02B6/13 |
| 代理公司： | 成都蓉创智汇知识产权代理有限公司 51276 | 代理人： | 赵雷 |
| 地址： | 200000 上海市浦东新区中国(*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 方法 及其 制成 芯片 光学 生物 识别 模组 | ||
1.一种晶圆制造方法，该方法包括以下步骤：
S01：取晶圆基体；
S02：形成第一保护层；
S03：形成光路结构；
S04：形成抗蚀胶掩模；
S05：刻蚀焊盘表面氮化硅；
S06：去除抗蚀胶掩模；
S07：处理焊盘表面。
2.根据权利要求1所述的晶圆制造方法，其特征在于：所述第一保护层为氮化硅膜层。
3.根据权利要求2所述的晶圆制造方法，其特征在于：所述S02中，形成第一保护层为通过化学气相沉积方式形成；可选地，第一保护层厚度为40nm。
4.根据权利要求1-5任一所述的晶圆制造方法，其特征在于：所述S03与S04之间，还包括S031：形成第二保护层。
5.根据权利要求4所述的晶圆制造方法，其特征在于：所述第二保护层为低温氧化物层；可选地，低温氧化物为二氧化硅；可选地，S031中，沉积为在180℃化学气相沉积；可选地，低温氧化物层厚度为100nm，折射率为1.5。
6.根据权利要求5所述的晶圆制造方法，其特征在于：所述S05中，刻蚀为采用碳氟化合物和氧气的混合气体在低压辉光放电时产生的高活性氟原子等离子体刻蚀；可选地，所述S05中，所述刻蚀还刻蚀焊盘表面第二保护层。
7.一种芯片，其特征在于，包括：
芯片基体；
光路结构，设置在芯片基体上；
金属焊盘，设置在芯片基体上，位于光路结构外；以及
第一保护层，位于光路结构与芯片基体以及光路结构与金属焊盘之间。
8.根据权利要求7所述的芯片，其特征在于：所述芯片还包括第二保护层，第二保护层包覆在光路结构上；可选地，第一保护层为氮化硅膜层；可选地，第一保护层厚度为40nm；可选地，第二保护层为低温氧化物层；可选地，低温氧化物层为二氧化硅层；可选地，二氧化硅层厚度为100nm，折射率为1.5。
9.一种光学生物识别模组，其特征在于：所述光学生物识别模组包括权利要求7或8任一所述的芯片。
10.一种电子设备，其特征在于：所述电子设备包括权利要求9所述的光学生物识别模组。
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