[发明专利]晶圆制造方法及其制成的芯片和光学生物识别模组

说明书

本发明公开了一种晶圆制造方法，该方法包括以下步骤：S01：取晶圆基体；S02：形成第一保护层；S03：形成光路结构；S04：形成抗蚀胶掩模；S05：刻蚀焊盘表面氮化硅；S06：去除抗蚀胶掩模；S07：处理焊盘表面。本发明工艺制作出的芯片降低了芯片功能失效或者性能退化等问题。

技术领域

本发明电子领域，具体涉及一种晶圆制造方法、芯片、光学生物识别模组和电子设备。

背景技术

传统的晶圆制造工艺方法如图1-图3所示，在提供的晶圆基体1上完成光路结构2，其中晶圆基体1为已加工完成光电二极管4和金属焊盘3的晶圆基板。

上述晶圆制造工艺方法制作的晶圆后续封装形成芯片，这些芯片在使用过程中，有时会出现芯片功能失效或者性能退化等问题。

发明内容

为了解决上述缺陷，一方面，本发明提供一种晶圆制造工艺制作方法，该晶圆制造工艺制作方法制作出芯片降低了芯片功能失效或者性能退化等问题。

一种晶圆制造方法，该方法包括以下步骤：

S01：取晶圆基体；

S02：形成第一保护层；

S03：形成光路结构；

S04：形成抗蚀胶掩模；

S05：刻蚀焊盘表面氮化硅；

S06：去除抗蚀胶掩模；

S07：处理焊盘表面。

可选地，所述第一保护层为氮化硅膜层。

可选地，所述S02中，形成第一保护层为通过化学气相沉积方式形成。

可选地，所述第一保护层厚度为40nm。

可选地，所述S03与S04之间，还包括S031：形成第二保护层。

可选地，所述第二保护层为低温氧化物层。

可选地，所述低温氧化物为二氧化硅。

可选地，所述S031中，沉积为在180℃化学气相沉积。

可选地，所述低温氧化物层厚度为100nm，折射率为1.5。

可选地，所述S05中，刻蚀为采用碳氟化合物和氧气的混合气体在低压辉光放电时产生的高活性氟原子等离子体刻蚀。

可选地，所述S05中，所述刻蚀还刻蚀焊盘表面第二保护层。

一方面，本发明还提供一种芯片。

一种芯片，其特征在于，包括：

芯片基体；

光路结构，设置在芯片基体上；

金属焊盘，设置在芯片基体上，位于光路结构外；以及

第一保护层，位于光路结构与芯片基体以及光路结构与金属焊盘之间。

可选地，所述芯片还包括第二保护层，第二保护层包覆在光路结构上。

可选地，所述第一保护层为氮化硅膜层。

可选地，所述第一保护层厚度为40nm。

可选地，所述第二保护层为低温氧化物层。

可选地，所述低温氧化物层为二氧化硅层。

可选地，所述二氧化硅层厚度为100nm，折射率为1.5。

一方面，本发明还提供一种光学生物识别模组。