[发明专利]一种GaN HEMT缩放模型电路拓扑结构在审
| 申请号： | 202011251658.1 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112417804A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 毕磊 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 徐金生 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt 缩放 模型 电路 拓扑 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaN HEMT缩放模型电路拓扑结构，其特征在于，包括直流电源VG、直流电源VD、直流电源VS、晶体管GH1、晶体管GH2、电感L1、电感L2、电感L3、直流电源V0、直流电源Vgs和直流电源Vds；
其中，晶体管GH1的栅极G、源极S和漏极D，分别与直流电源VG的正极、直流电源VS的正极和直流电源VD的正极相接；
直流电源VG、直流电源VS和直流电源VD三者的负极，均接地；
其中，晶体管GH2的栅极G、源极S和漏极D，分别与电感L2的一端、电感L1的一端和电感L3的一端相接；
电感L2的另一端，接直流电源Vgs的正极；
电感L1的另一端，接直流电源V0的负极；
电感L3的另一端，接直流电源Vds的正极；
直流电源Vgs的负极接地；
直流电源V0的正极，分别接直流电源VD的正极；
直流电源Vds的负极，接直流电源VS的正极；
其中，晶体管GH2的源极S和漏极D，还与表基电流源的两端相接。
2.如权利要求1所述的GaN HEMT缩放模型电路拓扑结构，其特征在于，晶体管GH1和晶体管GH2，均是氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT。
3.如权利要求1所述的GaN HEMT缩放模型电路拓扑结构，其特征在于，晶体管GH2的漏源电流，与表基电流源的漏源电流方向相反。
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