[发明专利]支撑玻璃基板和层叠体

说明书

本发明涉及支撑玻璃基板和层叠体。本发明涉及减少破损的发生和破裂时的大量碎片的产生的支撑玻璃基板和层叠体。支撑玻璃基板(10)在表面包含压应力层(12)，所述支撑玻璃基板的50℃～200℃范围内的平均热膨胀系数为7ppm/℃～15ppm/℃，内部拉应力为5MPa～55MPa，并且压应力层的深度为10μm～60μm。

技术领域

本发明涉及支撑玻璃基板和层叠体。

背景技术

随着电子设备的小型化，对以高密度封装在这些电子设备中使用的半导体器件的技术的要求提高。近年来，作为以高密度封装半导体器件的技术，例如提出了扇出型晶圆级封装(FOWLP)、扇出型面板级封装(FOPLP)。以下，将FOWLP和FOPLP统称为FOWLP等。

在FOWLP等中，为了抑制层叠半导体器件的加工基板的挠曲，有时使用支撑加工基板的支撑玻璃基板(例如，参考专利文献1、专利文献2)。

FOWLP等用的支撑玻璃基板等用于支撑构件的支撑玻璃基板有时随着所支撑的构件的加热而被加热。因此，为了抑制支撑玻璃基板与构件之间的剥离等，有时根据构件来设定热膨胀率。例如，在构件的热膨胀率高的情况下，与此相应地也将支撑玻璃基板的热膨胀率设定得高。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2018/008358号

专利文献2：国际公开第2016/111158号

发明内容

发明所要解决的问题

但是，支撑玻璃基板有时加热时的温度分布变得不均匀。例如，在基板厚的情况下，在加热面和中央部容易产生温度差。在该情况下，支撑玻璃基板有可能由于温度分布的差异，在每个位置热膨胀量不同而产生翘曲，从而引起破损。特别是，高热膨胀率的支撑玻璃基板由于每个位置的热膨胀量的差异变大，因此由翘曲引起的破损的风险变高。因此，要求在高热膨胀率的支撑玻璃基板中减少破损的发生。

另外，支撑玻璃基板有时被回收并再次使用，在这样的情况下，难以完全防止破裂。而且，在产生玻璃基板的破裂的情况下，产生大量碎片时，在半导体制造工序中防止异物的混入极其重要，因此花费长时间除去飞散到制造设备周边的碎片，大幅影响生产率。因此，对于支撑玻璃基板还要求在产生破裂时不产生大量碎片。

本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供能够减少破损的发生，而且即使发生破裂也能够减少大量碎片的产生的支撑玻璃基板和层叠体。

用于解决问题的手段

为了解决上述问题并实现目的，本公开的支撑玻璃基板为在表面包含压应力层的支撑玻璃基板，其中，所述支撑玻璃基板的50℃～200℃范围内的平均热膨胀系数为7ppm/℃～15ppm/℃，所述支撑玻璃基板的内部拉应力为5MPa～55MPa，并且所述压应力层的深度为10μm～60μm。

为了解决上述问题并实现目的，本公开的层叠体包含所述支撑玻璃基板和树脂层。

发明效果

根据本发明，能够减少破损的发生和破裂时的大量碎片的产生。

附图说明

[图1]图1为本实施方式的层叠体的示意性剖视图。

[图2]图2为表示支撑玻璃基板的厚度方向的应力分布的一例的图。

标号说明

10 支撑玻璃基板

12 压应力层

30 树脂层

CS 表面压应力

CT 内部拉应力