[发明专利]一种电容器孔和DRAM的制造方法

权利要求书

1.一种电容器孔的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上方顺序形成待刻蚀层、第一硬掩模层、第一图案转移层和第一光刻胶图案；

以所述第一光刻胶图案为掩模刻蚀所述第一图案转移层，以形成第一转移图案；

在所述第一转移图案上方沉积第一侧墙材料层并将其刻蚀为第一侧墙图案；

以所述第一侧墙图案为掩模刻蚀所述第一硬掩模层以形成第一硬掩模图案；

去除所述第一侧墙图案并在所述第一硬掩模图案上方顺序形成第二硬掩模层、第二图案转移层和第二光刻胶图案；

以所述第二光刻胶图案为掩模刻蚀所述第二图案转移层，以形成第二转移图案；

在第二转移图案上方沉积第二侧墙材料层并将其刻蚀为第二侧墙图案；

以所述第二侧墙图案为掩模刻蚀所述第二硬掩模层以形成第二硬掩模图案；

去除所述第二侧墙图案；

将所述第一硬掩模图案和所述第二硬掩模图案反相为第三硬掩模图案；以及

以所述第三硬掩模图案为掩模，对所述待刻蚀层进行刻蚀以形成电容器孔，其中，所述第一硬掩模图案和所述第二硬掩模图案错开分布以增大图案密度。

2.根据权利要求1所述的电容器孔的制造方法，其特征在于，所述将所述第一硬掩模图案和第二硬掩模图案反相为第三硬掩模图案的步骤包括：

在所述第一硬掩模图案和所述第二硬掩模图案上方沉积第三硬掩模层；以及

去除所述第一硬掩模图案和所述第二硬掩模层图案，留下的第三硬掩模层形成第三掩模图案。

3.根据权利要求1所述的电容器孔的制造方法，其特征在于，

所述第一硬掩模层图案包括位于正六边形、正四边形或正三角形的顶点处的第一柱体；以及

所述第二硬掩模层图案包括位于所述正六边形、所述正四边形或所述正三角形的中心处的第二柱体。

4.根据权利要求1所述的电容器孔的制造方法，其特征在于，所述第一转移图案包括多个第一凸起和位于每两个相邻的第一凸起之间的第一沟槽，其中，在所述第一转移图案上方沉积第一侧墙材料层并将其刻蚀为第一侧墙图案进一步包括：

在所述第一转移图案上方沉积所述第一侧墙材料层以在多个第一沟槽的底面以及所述多个第一凸起的顶面和相对侧壁上形成第一侧墙材料层；

对所述第一侧墙材料层进行各向异性刻蚀以去除所述第一侧墙材料层的位于所述多个第一凸起的顶面和所述多个第一沟槽的底面上的第一部分而保留所述第一侧墙材料层的位于所述多个第一凸起的相对侧壁上的第二部分；以及

对所述多个第一凸起进行刻蚀，以暴露所述第一硬掩模层的顶面，同时对所述多个第一沟槽的底面处的所述第一硬掩模层进行部分刻蚀。

5.根据权利要求1所述的电容器孔的制造方法，其特征在于，所述第二转移图案包括多个第二凸起和位于每两个相邻的第二凸起之间的第二沟槽，其中，在第二转移图案上方沉积第二侧墙材料层并将其刻蚀为第二侧墙图案进一步包括：

在所述第二转移图案上方沉积所述第二侧墙材料层以在多个第二沟槽的底面以及所述多个第二凸起的顶面和相对侧壁上形成第二侧墙材料层；

对所述第二侧墙材料层进行各向异性刻蚀以去除所述第二侧墙材料层的位于所述多个第二凸起的顶面和所述多个第二沟槽的底面上的第一部分而保留所述第二侧墙材料层的位于所述多个第二凸起的相对侧壁上的第二部分；以及

对所述多个第二凸起进行刻蚀，以暴露所述第二硬掩模层的顶面，同时对所述多个第二沟槽的底面处的所述第二硬掩模层进行部分刻蚀。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的电容器孔的制造方法，其特征在于，所述第一硬掩模层包括非晶碳掩模层和位于所述非晶碳掩模层上方的氮氧化硅掩模层。

7.根据权利要求1至5中的任一项所述的电容器孔的制造方法，其特征在于，所述第一图案转移层、所述第二图案转移层和所述第二硬掩模层包括旋涂硬掩模层和位于所述旋涂硬掩模层上方的氮氧化硅掩模层。