[发明专利]基板清洗设备及基板清洗方法在审
申请号: | 202011254801.2 | 申请日: | 2020-11-11 |
公开(公告)号: | CN112435938A | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
发明(设计)人: | 李祥龙 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 设备 方法 | ||
本申请实施例提供了一种基板清洗设备及基板清洗方法。其中,该基板清洗设备包括混合装置和清洗装置。其中,所述混合装置用于将臭氧和水进行混合,形成臭氧水;所述清洗装置用于利用所述混合装置中形成的所述臭氧水对所述基板进行清洗。本方案通过将臭氧溶解于水中,利用臭氧水对基板进行清洗,从而可以避免紫外光对基板上的薄膜晶体管的电性产生影响。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种基板清洗设备及基板清洗方法。
背景技术
有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode,OLED)器件的制备中,能级匹配是非常重要的器件设计原则。能级匹配的核心在于空穴载流子的调控,一般是通过对阳极进行表面处理,从而增强阳极的功函数和提高空穴注入能力,对阳极进行表面处理的常见方法是紫外光处理。
利用紫外光对基板进行处理的主要原理是在紫外光作用下,氧气被转化为臭氧,臭氧具有强氧化性,可以将基板表面的脏污清除,且能部分改善阳极的功函。然而,紫外光对没有光遮挡的基板上的薄膜晶体管电性影响较大。
发明内容
本申请实施例提供了一种基板清洗设备及基板清洗方法,可以避免紫外光对基板上的薄膜晶体管的电性产生影响。
第一方面,本申请实施例提供了一种基板清洗设备,包括:
混合装置,所述混合装置用于将臭氧和水进行混合,形成臭氧水;
清洗装置,所述清洗装置用于利用所述混合装置中形成的所述臭氧水对所述基板进行清洗。
在本申请实施例提供的基板清洗设备中,所述基板清洗设备还包括检测装置;
所述检测装置用于检测所述混合装置中所述臭氧水的浓度;
当所述检测装置检测出所述混合装置中所述臭氧水的浓度为预设浓度时,所述清洗装置用于利用具有所述预设浓度的所述臭氧水对所述基板进行清洗。
在本申请实施例提供的基板清洗设备中,所述基板清洗设备还包括分解装置;
所述分解装置用于对所述基板进行清洗后所残留的臭氧水中的臭氧进行分解。
在本申请实施例提供的基板清洗设备中,所述基板清洗设备还包括发生装置;
所述发生装置用于生成臭氧,并将所述臭氧输送至所述混合装置。
在本申请实施例提供的基板清洗设备中,所述基板清洗设备还包括计时装置;
所述计时装置用于对所述清洗装置清洗所述基板的时长进行计时;
所述清洗装置用于根据所述计时装置的预设时长利用所述臭氧水对所述基板进行清洗。
在本申请实施例提供的基板清洗设备中,所述混合装置和所述清洗装置通过耐腐蚀管道连接,所述混合装置内的所述臭氧水通过所述耐腐蚀管道输送至所述清洗装置。
第二方面,本申请实施例提供了一种基板清洗方法包括:
将臭氧与水进行混合,以形成臭氧水;
利用所述臭氧水对所述基板进行清洗。
在本申请实施例提供的基板清洗方法中,在所述将臭氧与水进行混合,以形成臭氧水之后,所述利用所述臭氧水对所述基板进行清洗之前,还包括:
对所述臭氧水的浓度进行检测;
当检测出的所述臭氧水的浓度为预设浓度时,利用具有所述预设浓度的所述臭氧水对所述基板进行清洗。
在本申请实施例提供的基板清洗方法中,在利用所述臭氧水对所述基板进行清洗之后,还包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造