[发明专利]一种g-C3 在审
| 申请号： | 202011256272.X | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112371155A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 殷立雄;陈思雨;李慧敏;刘长青;孔新刚;黄剑锋;李潞瑶;韩浪 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24;B01J27/04;B01J35/00;B01J37/10 |
| 代理公司： | 西安众和至成知识产权代理事务所(普通合伙) 61249 | 代理人： | 张震国 |
| 地址： | 710021*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 base sub | ||
一种g‑C3N4/Zn0.2Cd0.8S复合材料的制备方法：将HF搅拌下加入H2O中制成混合溶液A；取Zn(CH3COO)2·2H2O和Cd(CH3COO)2·2H2O加入混合溶液A中搅拌制成混合溶液B；取硫脲加入混合溶液B中形成混合溶液C；将混合溶液C水热反应后，经去离子水和乙醇洗涤、真空干燥后研磨得到枝晶状的Zn0.2Cd0.8S材料。取三聚氰胺于磁舟中，在马弗炉中煅烧冷却至室温后将样品研磨得到g‑C3N4。将枝晶状Zn0.2Cd0.8S材料加入至水中，搅拌得到溶液D。取g‑C3N4至溶液D中，超声得到混合溶液E。将混合溶液E水热反应后，经去离子水和乙醇分别离心洗涤、真空干燥后经研磨得到g‑C3N4/Zn0.2Cd0.8S材料。本发明制备工艺简单、成本低，所制备出的材料纯度高、结晶性强。
技术领域
本发明涉及一种复合材料的制备方法，具体涉及一种g-C3N4/Zn0.2Cd0.8S复合材料的制备方法。
背景技术
当今社会，随着社会的进步和发展，工业化和人工智能化的程度越来越高，对于所使用材料的要求也越来越高，传统的材料不能满足使用的需求，因此越来越多的功能材料以及复合材料得到快速的发展。而Ⅱ-Ⅵ化合物是当下研究的重点和热点，由于它们在半导体激光器、传感器、固体发光和太阳能电池等领域有着广泛的应用前景，故一直备受重视。其中ZnxCd1-xS(0≤x≤1)固溶体材料作为一种新颖的具有良好光催化性能的材料，由于其可调节变换的禁带宽度及独特的催化活性，而受到广泛的研究。
ZnxCd1-xS固溶体材料作为一类具有直接宽带隙的半导体类光催化剂，伴随Cd使用量的增加，其禁带宽度从3.6eV逐渐降低到2.3eV，由于其较合适的禁带宽度，能够使其很好的利用和吸收太阳光中的一定量的可见光以及一部分的近紫外光。而且其具有价格便宜、化学稳定性较强、抗光腐蚀和容易回收等优点，一经问世就引起了人们广泛的关注。ZnxCd1-xS在许多工业领域都存在着潜在的应用，且常常被应用于光致发光及光电导体设备，光催化降解、产氢，荧光粉以及其他光电领域中。g-C3N4制备简单、成本低廉、稳定性好且具有可见光响应，是最有前景的半导体材料之一。然而，g-C3N4光诱导电荷极易复合，空穴氧化能力弱等缺点限制了其实际应用。在所有的改性方法中，只有通过两种或两种以上半导体材料构筑异质结构，才能综合多组分的优点，在提高光生电荷分离效率的同时保持电子和空穴的高氧化还原能力。因此，设计合成不同类型的g-C3N4基异质结光催化剂在近几年得到了人们广泛的关注。
发明内容
本发明的目的在于提供一种制备成本低、工艺简单的g-C3N4/Zn0.2Cd0.8S复合材料的制备方法，所制备的g-C3N4/Zn0.2Cd0.8S材料结晶性好。
为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
步骤一：取0.2～0.4mL的HF搅拌下加入到50～60mL的H2O中制成混合溶液A；
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