[发明专利]垂直腔面发射激光器发光阵列及其控制方法在审

专利信息
申请号: 202011256586.X 申请日: 2020-11-11
公开(公告)号: CN112332218A 公开(公告)日: 2021-02-05
发明(设计)人: 张穗;沈志强 申请(专利权)人: 深圳博升光电科技有限公司
主分类号: H01S5/42 分类号: H01S5/42
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 代理人: 郭栋梁
地址: 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 垂直 发射 激光器 发光 阵列 及其 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种垂直腔面发射激光器发光阵列,其特征在于,包括:

至少一个发光芯片;

所述发光芯片表具有至少两个分区,每个所述分区内设有多个垂直腔面发射激光器;

同一分区内的各所述垂直腔面发射激光器的发射光偏振方向相同,且具有至少两个分区的所述垂直腔面发射激光器的发射光偏振方向互不相同。

2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器发光阵列,其特征在于,各所述分区内的所述垂直腔面发射激光器规则排列或不规则排列。

3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器发光阵列,其特征在于,各所述分区形状相同。

4.根据权利要求1或2所述的垂直腔面发射激光器发光阵列,其特征在于,各所述分区内设置的所述垂直腔面发射激光器数量相同。

5.根据权利要求3所述的垂直腔面发射激光器发光阵列,其特征在于,所述发光芯片为正方形,所述发光芯片沿所述正方形相对两边的中线分为两个分区,两个所述分区内所述垂直腔面发射激光器的发射光偏振方向互不相同。

6.根据权利要求3所述的垂直腔面发射激光器发光阵列,其特征在于,所述发光芯片为正方形,所述发光芯片沿所述正方形的两条对角线分为四个分区,相对两个所述分区为内所述垂直腔面发射激光器的发射光偏振方向相同。

7.根据权利要求5或6所述的垂直腔面发射激光器发光阵列,其特征在于,所述发射光偏振方向互不相同为发射光偏振方向互相垂直。

8.根据权利要求3所述的垂直腔面发射激光器发光阵列,其特征在于,所述发光芯片为正方形,所述发光芯片沿所述正方形各相对边的中线分为四个分区,任意两个所述分区内所述垂直腔面发射激光器的发射光偏振方向均互不相同。

9.根据权利要求3所述的垂直腔面发射激光器发光阵列,其特征在于,所述发光芯片为正方形,所述发光芯片沿所述正方形的两条对角线分为四个分区,任意两个所述分区内所述垂直腔面发射激光器的发射光偏振方向均互不相同。

10.一种如权要求1-9任一项所述垂直腔面发射激光器发光阵列的控制方法,其特征在于,包括:

以设定电压或电流分别点亮目标分区的垂直腔面发射激光器。

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