[发明专利]垂直腔面发射激光器发光阵列及其控制方法

说明书

本申请涉及激光器技术领域，公开了一种垂直腔面发射激光器发光阵列及其控制方法，发光芯片表具有至少两个分区的所述垂直腔面发射激光器的发射光偏振方向互不相同。通过控制不同分区垂直腔面发射激光器发射光的光功率，得到不同偏振方向且不同功率大小的发射光，通过矢量叠加来得到各种不同的偏振方向的出射光。在后续的系统中可以通过调整出射光的偏振方向至最大信噪比的偏振方向，以使得信号的信噪比达到最高的水平。

技术领域

本发明一般涉及激光器技术领域，具体涉及一种垂直腔面发射激光器发光阵列及其控制方法。

背景技术

在光电领域中，光电探测器将探测到的光转换为电信号做后续分析，在这个过程中会有外界光噪声的引入，降低信号的质量，因此需要降低噪声光强或提高信号光强来提高信噪比。具体是在实际使用的过程中，将光的偏振方向调整至最大信噪比的偏振方向，但目前光电探测器中芯片上的VCSEL不能控制偏振方向或者只有一种偏振方向，无法很好地提高信噪比。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种垂直腔面发射激光器发光阵列及其控制方法。

第一方面，本发明提供一种垂直腔面发射激光器发光阵列，包括：至少一个发光芯片；所述发光芯片表具有至少两个分区，每个所述分区内设有多个垂直腔面发射激光器；同一分区内的各所述垂直腔面发射激光器的发射光偏振方向相同，且具有至少两个分区的所述垂直腔面发射激光器的发射光偏振方向互不相同。

在一个实施例中，各所述分区内的所述垂直腔面发射激光器规则排列或不规则排列。

在一个实施例中，各所述分区形状相同。

在一个实施例中，各所述分区内设置的所述垂直腔面发射激光器数量相同。

在一个实施例中，所述发光芯片为正方形，所述发光芯片沿所述正方形相对两边的中线分为两个分区，两个所述分区内所述垂直腔面发射激光器的发射光偏振方向互不相同。

在一个实施例中，所述发光芯片为正方形，所述发光芯片沿所述正方形的两条对角线分为四个分区，相对两个所述分区为内所述垂直腔面发射激光器的发射光偏振方向相同。

在一个实施例中，所述发射光偏振方向互不相同为发射光偏振方向互相垂直。

在一个实施例中，所述发光芯片为正方形，所述发光芯片沿所述正方形各相对边的中线分为四个分区，任意两个所述分区内所述垂直腔面发射激光器的发射光偏振方向均互不相同。

在一个实施例中，所述发光芯片为正方形，所述发光芯片沿所述正方形的两条对角线分为四个分区，任意两个所述分区内所述垂直腔面发射激光器的发射光偏振方向均互不相同。

第二方面，本发明提供一种垂直腔面发射激光器发光阵列的控制方法，包括：以设定电压或电流分别点亮目标分区的垂直腔面发射激光器。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

本发明提供一种垂直腔面发射激光器发光阵列及其控制方法，发光芯片表具有至少两个分区的所述垂直腔面发射激光器的发射光偏振方向互不相同。通过控制不同分区垂直腔面发射激光器发射光的光功率，得到不同偏振方向且不同功率大小的发射光，通过矢量叠加来得到各种不同的偏振方向的出射光。在后续的系统中可以通过调整出射光的偏振方向至最大信噪比的偏振方向，以使得信号的信噪比达到最高的水平。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1示出了本申请实施例涉及的发光芯片表面不同分区设置的一种示意图；

图2示出了本申请实施例涉及的发光芯片表面不同分区设置的另一种示意图；