[发明专利]一种传送腔室的控温装置及方法

说明书

本发明涉及一种传送腔室的控温装置及方法，涉及半导体设备制造技术领域，用于解决晶圆在各工艺中的温度不相同，这导致晶圆进入下一个工艺时，其当前温度会对下一个工艺造成一定程度的负面影响的问题。装置包括：移动组件、控制组件和控温组件；移动组件设置在传送腔室中承载晶圆；控温组件设置在传送腔室底部，包括冷却区组件和加热区组件；控制组件用于检测晶圆表面温度及晶圆对应的待执行工艺；根据晶圆表面温度以及晶圆对应的待执行工艺，控制移动组件将晶圆移动到预设的位置，并生成相应的控温指令；在晶圆到达预设位置后，控制控温组件执行控温指令。本发明提供的技术方案能够提高工艺的整体效率。

技术领域

本发明涉及半导体设备制造技术领域，尤其涉及一种传送腔室的控温装置及方法。

背景技术

在刻蚀过程中，晶圆需要移入传送腔室，再经由传送腔室移入其他工艺对应的设备中。

然而，晶圆在各工艺中的温度不相同，这导致晶圆进入下一个工艺时，其当前温度会对下一个工艺造成一定程度的负面影响，从而降低了工艺的整体效率。

发明内容

鉴于上述的分析，本发明旨在提出一种传送腔室的控温装置及方法，以提高工艺的整体效率。

本发明的目的主要是通过以下技术方案实现的：

第一方面，本发明实施例提供了一种传送腔室的控温装置，包括：

移动组件、控制组件和控温组件；

所述移动组件设置在所述传送腔室中，用于承载晶圆；

所述控温组件设置在所述传送腔室底部，包括冷却区组件和加热区组件；

所述控制组件用于检测晶圆表面温度及所述晶圆对应的待执行工艺；根据所述晶圆表面温度以及所述晶圆对应的待执行工艺，控制所述移动组件将所述晶圆移动到预设的位置，并生成相应的控温指令；在所述晶圆到达预设位置后，控制所述控温组件执行所述控温指令。

进一步地，所述冷却区组件包括：降温器和/或冷阱；

所述加热区组件包括升温器和/或热阱；

所述升温器和所述降温器固定在所述传送腔室底部。

进一步地，在所述传送腔室中，所述加热区组件工作区域为加热区，所述冷却区组件工作区域为冷却区；

所述冷却区和所述加热区分别设置在所述传送腔室底部的两侧。

进一步地，所述移动组件一端连接所述加热区，所述移动组件另一端连接所述冷却区。

进一步地，所述热阱和所述冷阱分别设置在所述传送腔室底部的两侧。

进一步地，所述移动组件包括：支架、移动轨道和电机；

所述晶圆安放在所述支架上，所述电机控制所述支架在所述移动轨道上移动，将晶圆移动到预设的位置。

进一步地，所述控制组件，包括：处理器和传感器；

所述传感器设置在所述传送腔室中，用于采集晶圆温度和所述待处理工艺的标识；将所述晶圆温度和所述待处理工艺的标识发送给所述处理器；

所述处理器用于根据所述待处理工艺的标识，确定所述待处理工艺中的晶圆温度；根据所述待处理工艺中的晶圆温度和所述晶圆温度，确定相应的控温指令。

第二方面，本发明实施例提供了一种传送腔室的控温方法，包括：

采集晶圆温度和待处理工艺的标识；

根据所述晶圆温度和所述待处理工艺的标识，生成控温指令；