[发明专利]光电探测基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种光电探测基板，其特征在于，包括：衬底基板和设置于所述衬底基板上的光电二极管，所述光电二极管包括光电转换层，所述光电转换层包括第一半导体层和第二半导体层以及设置于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的本征层，所述第二半导体层位于所述第一半导体层远离所述衬底基板的一侧，所述本征层邻近所述第二半导体层一侧的带隙大于所述本征层邻近所述第一半导体层一侧的带隙。

2.根据权利要求1所述的光电探测基板，其特征在于：在远离所述第一半导体层的方向上，所述本征层的带隙呈梯度设置。

3.根据权利要求1所述的光电探测基板，其特征在于：所述本征层包括多个子本征层，在远离所述第一半导体层的方向上，多个所述子本征层的带隙依次增加。

4.根据权利要求3所述的光电探测基板，其特征在于：相邻的所述子本征层的带隙差在0.15ev到0.3ev之间。

5.根据权利要求3所述的光电探测基板，其特征在于：多个所述子本征层包括叠设的第一子本征层、第二子本征层和第三子本征层，所述第一子本征层与所述第一半导体层相邻，所述第三子本征层与所述第二半导体层相邻，所述第一子本征层的带隙在1.5ev到1.7ev之间，所述第二子本征层的带隙在1.75ev到1.9ev之间，所述第三子本征层的带隙在1.95ev到2.1ev之间。

6.根据权利要求5所述的光电探测基板，其特征在于：所述第一半导体层的带隙与所述第一子本征层的带隙比值为0.9到1.2之间，所述第二半导体层的带隙与所述第三子本征层的带隙比值为0.9到1.2之间。

7.根据权利要求1-4任一项所述的光电探测基板，其特征在于：所述本征层的带隙在1.4ev到2.4ev之间。

8.根据权利要求1-6任一项所述的光电探测基板，其特征在于：所述第一半导体层为n型半导体层，所述第二半导体层为p型半导体层。

9.根据权利要求1-6任一项所述的光电探测基板，其特征在于：所述光电二极管还包括第一电极和第二电极，所述第一电极设置于所述第一半导体层朝向所述衬底基板的一侧，所述第二电极设置于所述第二半导体层远离所述衬底基板的一侧，所述衬底基板包括基板和设置于所述基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、第一极和第二极，所述第一电极和所述第二极连接。

10.根据权利要求9所述的光电探测基板，其特征在于：所述衬底基板包括设置于所述栅极上的第一绝缘层和覆盖所述第一极和所述第二极的第二绝缘层，光电探测基板还包括设置于所述第二绝缘层远离所述基板一侧并包裹光电二极管的第三绝缘层和第四绝缘层以及设置于所述第四绝缘层远离所述基板一侧的平坦层和设置于所述平坦层远离所述基板一侧的第五绝缘层和设置于所述第五绝缘层远离所述基板一侧的引出线，所述平坦层上设置有暴露所述第二电极的第一过孔，所述第五绝缘层包括暴露所述第二电极的第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔位置对应，所述第五绝缘层覆盖所述第一过孔的内壁，所述引出线通过所述第二过孔与所述第二电极连接。

11.根据权利要求10所述的光电探测基板，其特征在于：所述引出线在所述基板上的正投影覆盖所述有源层在所述基板上的正投影。

12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-11任一项所述的光电探测基板。

13.一种光电探测基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成光电二极管，所述光电二极管包括光电转换层，所述光电转换层包括第一半导体层和第二半导体层以及设置于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的本征层，所述第二半导体层位于所述第一半导体层远离所述衬底基板的一侧，所述本征层邻近所述第二半导体层一侧的带隙大于所述本征层邻近所述第一半导体层一侧的带隙。