[发明专利]光电探测基板及其制备方法、显示装置

说明书

本文公开了一种光电探测基板及其制备方法、显示装置。光电探测基板包括：衬底基板和设置于衬底基板上的光电二极管，光电二极管包括光电转换层，光电转换层包括第一半导体层和第二半导体层以及设置于第一半导体层和第二半导体层之间的本征层，第二半导体层位于第一半导体层远离衬底基板的一侧，本征层邻近第二半导体层一侧的带隙大于本征层邻近第一半导体层一侧的带隙。本文通过将本征层邻近第二半导体层一侧的带隙设置为大于本征层邻近第一半导体层一侧的带隙，本征层靠近第二半导体层的一侧的宽带隙能够减少对指纹反射光的吸收，本征层靠近第一半导体层的一侧的窄带隙能够增加对指纹反射光的吸收，提升了光电探测基板的检测灵敏度。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种光电探测基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

非晶硅PIN光电二极管具有工艺简单、成本低、便于大面积沉积等优点。高信噪比使得非晶硅PIN背板可广泛应用于光电探测领域，例如指纹识别或光谱识别等。

在指纹识别应用中，通过指纹不同位置光电流的差异来进行指纹识别。目前，采用非晶硅PIN技术的光电二极管光电流较小，造成光电二极管的信噪比低，影响指纹识别的灵敏度。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本发明实施例提供了一种光电探测基板及其制备方法、显示装置，可以提升指纹识别的灵敏度。

本发明实施例提供的光电探测基板，包括：衬底基板和设置于衬底基板上的光电二极管，光电二极管包括光电转换层，光电转换层包括第一半导体层和第二半导体层以及设置于第一半导体层和第二半导体层之间的本征层，第二半导体层位于第一半导体层远离衬底基板的一侧，本征层邻近第二半导体层一侧的带隙大于本征层邻近第一半导体层一侧的带隙。

在一些示例性实施例中，在远离第一半导体层的方向上，本征层的带隙呈梯度设置。

在一些示例性实施例中，本征层包括多个子本征层，在远离第一半导体层的方向上，多个子本征层的带隙依次增加。

在一些示例性实施例中，相邻的子本征层的带隙差在0.15ev到0.3ev之间。

在一些示例性实施例中，多个子本征层包括叠设的第一子本征层、第二子本征层和第三子本征层，第一子本征层与第一半导体层相邻，第三子本征层与第二半导体层相邻，第一子本征层的带隙在1.5ev到1.7ev之间，第二子本征层的带隙在1.75ev到1.9ev之间，第三子本征层的带隙在1.95ev到2.1ev之间。

在一些示例性实施例中，第一半导体层的带隙与第一子本征层的带隙比值为0.9到1.2之间，第二半导体层的带隙与第三子本征层的带隙比值为0.9到1.2之间。

在一些示例性实施例中，本征层的带隙在1.4ev到2.4ev之间。

在一些示例性实施例中，第一半导体层为n型半导体层，第二半导体层为p型半导体层。

在一些示例性实施例中，光电二极管还包括第一电极和第二电极，第一电极设置于第一半导体层朝向衬底基板的一侧，第二电极设置于第二半导体层远离衬底基板的一侧，衬底基板包括基板和设置基板上的薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅极、有源层、第一极和第二极，第一电极和第二极连接。

在一些示例性实施例中，衬底基板包括设置于栅极上的第一绝缘层和覆盖第一极和第二极的第二绝缘层，光电探测基板还包括设置于第二绝缘层远离基板一侧并包裹光电二极管的第三绝缘层和第四绝缘层以及设置于第四绝缘层远离基板一侧的平坦层和设置于平坦层远离基板一侧的第五绝缘层和设置于第五绝缘层远离基板一侧的引出线，平坦层上设置有暴露第二电极的第一过孔，第五绝缘层包括暴露第二电极的第二过孔，第五绝缘层覆盖第一过孔的内壁，引出线通过第二过孔与第二电极连接。