[发明专利]半导体工艺腔室

权利要求书

1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括腔室本体（100）、上电极（200）、下电极（300）、屏蔽罩（400）和阻抗调节机构（500），其中：

所述屏蔽罩（400）设置于所述腔室本体（100）上，且两者形成容纳腔，所述上电极（200）、所述下电极（300）和所述阻抗调节机构（500）均设置于所述容纳腔中，所述上电极（200）与所述下电极（300）相对设置，所述上电极（200）位于所述下电极（300）和所述屏蔽罩（400）之间，且电悬浮设置，所述屏蔽罩（400）和所述下电极（300）均接地；

所述阻抗调节机构（500）可移动地与所述屏蔽罩（400）相连，且所述阻抗调节机构（500）与所述屏蔽罩（400）电连接，所述阻抗调节机构（500）可远离或靠近所述屏蔽罩（400）移动，以调节所述阻抗调节机构（500）与所述上电极（200）之间的距离；和/或，

所述阻抗调节机构（500）可平行于所述屏蔽罩（400）移动，以改变所述阻抗调节机构（500）与所述上电极（200）的相对区域；

所述阻抗调节机构（500）包括平行于所述上电极（200）的第一屏蔽件（510）和垂直于所述上电极（200）的第二屏蔽件（520），所述第二屏蔽件（520）的一端设置于所述屏蔽罩（400）上，所述第一屏蔽件（510）设置于所述第二屏蔽件（520）的另一端上。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述半导体工艺腔室还包括与所述屏蔽罩（400）垂直设置的屏蔽罩调节件（610），且所述屏蔽罩（400）通过所述屏蔽罩调节件（610）设置于所述腔室本体（100）上，通过调节所述屏蔽罩调节件（610）的长度，以调节所述屏蔽罩（400）与所述上电极（200）之间的距离。

3.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第二屏蔽件（520）的一端可移动地设置于所述屏蔽罩（400）上，在所述第二屏蔽件（520）的一端相对于所述屏蔽罩（400）移动的情况下，所述第二屏蔽件（520）带动所述第一屏蔽件（510）平行于所述屏蔽罩（400）移动，以调节所述第一屏蔽件（510）与所述上电极（200）的相对区域。

4.根据权利要求3所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第二屏蔽件（520）的一端设置有第一连接结构（530），所述屏蔽罩（400）设置有多个第二连接结构，所述第一连接结构（530）可切换地与多个所述第二连接结构中的一者连接。

5.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一屏蔽件（510）可移动地设置于所述第二屏蔽件（520）的另一端；在所述第一屏蔽件（510）相对于所述第二屏蔽件（520）移动的情况下，所述第一屏蔽件（510）远离或靠近所述上电极（200），以调节所述第一屏蔽件（510）与所述上电极（200）之间的距离。

6.根据权利要求5所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一屏蔽件（510）设置有第三连接结构（540），所述第二屏蔽件（520）的另一端设置有多个第四连接结构，所述第三连接结构（540）可切换地与多个所述第四连接结构中的一者连接。

7.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述上电极（200）与所述阻抗调节机构（500）之间的距离为第一距离，所述屏蔽罩（400）与所述上电极（200）之间的距离为第二距离，所述第二距离与所述第一距离的比例大于2:1。

8.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述屏蔽罩（400）与所述上电极（200）相对的圆形区域为第一区域，且所述第一区域的直径为第一直径，所述阻抗调节机构（500）与所述上电极（200）相对的圆形区域为第二区域，且所述第二区域的直径为第二直径，所述第一直径与所述第二直径的比例大于3:1。