[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202011260979.8 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN112838058A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 程仲良;方子韦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的制造方法，其包括：
形成一鳍片结构于一基板上；
形成一源极/漏极(S/D)区域于该鳍片结构上；
形成一栅极结构于该鳍片结构上且相邻于该源极/漏极区域；
分别形成一源极/漏极接触结构及一栅极接触结构于该源极/漏极区域及该栅极结构上，其中形成该源极/漏极接触结构及该栅极接触结构包括：分别形成一源极/漏极接触插塞及一栅极接触插塞；
分别形成一第一导孔接触结构及一第二导孔接触结构于该源极/漏极接触结构及该栅极接触结构上，其中形成该第一导孔接触结构及该第二导孔接触结构包括：分别形成插设在介于一第一顶金属覆盖层与一第一底金属覆盖层之间的一第一导孔接触插塞、以及插设在介于一第二顶金属覆盖层与一第二底金属覆盖层之间的一第二导孔接触插塞，且其中该第一导孔接触插塞及该第二导孔接触插塞与一介电材料接触并具有与该第一顶金属覆盖层、该第二顶金属覆盖层、该第一底金属覆盖层、以及该第二底金属覆盖层不同的材料组分；以及
分别形成一第一互连结构及一第二互连结构于该第一导孔接触结构及该第二导孔接触结构上，其中该第一互连结构及该第二互连结构具有与该第一导孔接触结构及该第二导孔接触结构不同的材料组分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011260979.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：打开件及双开尾拉链
- 下一篇：用于检测肺炎支原体的引物组、试剂盒及方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
