[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

本文公开一种具有双金属覆盖的导孔接触结构的半导体装置结构及半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包含形成源极/漏极(S/D)区域及栅极结构于鳍片结构上；分别形成S/D接触结构及栅极接触结构于S/D区域及栅极结构上；分别形成第一及第二导孔接触结构于S/D接触结构及栅极接触结构上；以及分别形成第一及第二互连结构于第一及第二导孔接触结构上。形成第一及第二导孔接触结构包含：分别形成插设在介于第一顶金属覆盖层与第一底金属覆盖层之间的第一导孔接触插塞、及插设在介于第二顶金属覆盖层与第二底金属覆盖层之间的第二导孔接触插塞。

技术领域

本发明实施例涉及半导体结构，特别涉及用于半导体结构的双金属覆盖的导孔接触结构、以及半导体装置的制造方法。

背景技术

随着半导体技术的进步，对更高的存储容量、更快的处理系统、更高的性能、以及更低的成本的需求不断增长。为了满足这些需求，半导体工业继续缩小诸如：金属氧化物半导体场效晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor，MOSFET)的半导体装置的尺寸，其中MOSFET包含平面式MOSFET及鳍式场效应晶体管(finFET)。这种按比例的缩小已经增加半导体制造制程的复杂性。

发明内容

一实施例涉及一种半导体装置的制造方法。前述方法包含：形成鳍片结构于基板上；形成源极/漏极(source/drain，S/D)区域于鳍片结构上；形成栅极结构于鳍片结构上且相邻于S/D区域；以及分别形成S/D接触结构及栅极接触结构于S/D区域及栅极结构上。形成S/D接触结构及栅极接触结构包含分别形成S/D接触插塞及栅极接触插。前述方法进一步包含分别形成第一导孔接触结构及第二导孔接触结构于S/D接触结构及栅极接触结构上；以及分别形成第一互连结构及第二互连结构于第一导孔接触结构及第二导孔接触结构上。形成第一导孔接触结构及第二导孔接触结构包含：分别形成插设在介于第一顶金属覆盖层与第一底金属覆盖层之间的第一导孔接触插塞、以及插设在介于第二顶金属覆盖层与第二底金属覆盖层之间的第二导孔接触插塞。第一导孔接触插塞及第二导孔接触插塞与介电材料接触并具有与第一顶金属覆盖层、第二顶金属覆盖层、第一底金属覆盖层、以及第二底金属覆盖层不同的材料组分。第一互连结构及第二互连结构具有与第一导孔接触结构及第二导孔接触结构不同的材料组分。

另一实施例涉及一种半导体装置的制造方法。前述方法包含：形成晶体管于基板上；形成被动元件(passive device)于基板上且相邻于晶体管；形成接触结构于晶体管上；以及分别形成第一导孔接触结构及第二导孔接触结构于接触结构及被动元件上。形成第一导孔接触结构及第二导孔接触结构包含：分别形成第一底金属覆盖层及第二底金属覆盖层于接触结构及被动元件上；分别形成第一导孔接触插塞及第二导孔接触插塞于第一底金属覆盖层及第二底金属覆盖层上；以及分别形成第一顶金属覆盖层及第二顶金属覆盖层于第一导孔接触插塞及第二导孔接触插塞上。

又一实施例涉及一种半导体装置。前述装置包含：基板上的鳍片结构；设置在鳍片结构上的源极/漏极(S/D)区域；设置在鳍片结构上且相邻于S/D区域的栅极结构；分别设置在S/D区域及栅极结构上的S/D接触结构及栅极接触结构；分别设置在S/D接触结构及栅极接触结构上的第一导孔接触结构及第二导孔接触结构；以及分别设置在第一导孔接触结构及第二导孔接触结构上的第一互联结构及第二互连结构。S/D接触结构及栅极接触结构分别包含S/D接触插塞及栅极接触插塞。第一导孔接触结构及第二导孔接触结构分别包含：插设在介于第一顶金属覆盖层与第一底金属覆盖层之间的第一导孔接触插塞、以及插设在介于第二顶金属覆盖层与第二底金属覆盖层之间的第二导孔接触插塞。

附图说明

当配合附图阅读时，根据以下的详细说明能最好地理解本公开的实施方式。要强调的是，根据本产业的一般作业，各种部件未按比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小各种部件的尺寸，以作清楚的说明。

图1描绘根据一些实施例的半导体装置的等距(isometric)视图。