[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202011263835.8 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN113130326A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 褚志彪;李明洋;李连忠 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/08;H01L29/417;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，包括：
将等离子体应用至金属二硫属化物膜的部分，
其中，所述金属二硫属化物膜包括第一金属和选自S、Se、Te和它们的组合组成的组的硫属元素；
在应用所述等离子体之后，在所述金属二硫属化物膜的部分上方形成包括第二金属的金属层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体是氢等离子体。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体的压力在从10mTorr至500mTorr的范围内，并且所述等离子体在从10W至150W的范围内的功率下应用。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一金属是选自Mo、W、Pd和Hf组成的组中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二金属是选自Ni、Mo、In、Ti、W、Sc、Pd、Pt、Co和Ru组成的组中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属层在从100℃至300℃范围内的温度下形成，或者在形成所述金属层之后将所述器件加热至从100℃至300℃范围内的温度。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述金属层上方形成包括第三金属的第二金属层。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第三金属的活性小于所述第二金属。
9.一种制造半导体器件的方法，包括：
在衬底上方形成金属二硫属化物膜，
其中，所述金属二硫属化物膜包括第一金属和选自S、Se、Te和它们的组合组成的组的硫属元素；
在所述金属二硫属化物膜上方形成缓冲层；
图案化所述缓冲层以暴露所述金属二硫属化物膜的部分；
从所述金属二硫属化物膜的暴露部分的表面层等离子体剥离所述硫属元素；以及
在所述等离子体剥离之后，在所述金属二硫属化物膜的暴露部分上方形成包括第二金属的金属层。
10.一种半导体器件，包括：
金属硫属化物单层膜，设置在衬底上方，
其中，所述金属硫属化物单层膜包括第一金属和选自S、Se、Te和它们的组合组成的组的硫属元素，并且
其中，所述金属硫属化物单层膜具有第一表面部分和第二表面部分；以及
金属层，设置在所述金属硫属化物膜上方，
其中，所述金属层包括第二金属，
所述金属层设置在所述第一表面部分上方而不设置在所述第二表面部分上方，并且
其中，所述金属层化学结合至所述金属硫属化物膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
