[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法在审

申请号：	202011263835.8	申请日：	2020-11-12
公开（公告）号：	CN113130326A	公开（公告）日：	2021-07-16
发明（设计）人：	褚志彪;李明洋;李连忠	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/34	分类号：	H01L21/34;H01L29/08;H01L29/417;H01L29/78
代理公司：	北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409	代理人：	章社杲;李伟
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	半导体器件制造方法
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【说明书】：

制造半导体器件的方法包括将等离子体应用至金属二硫属化物膜的部分。金属二硫属化物膜包括第一金属和选自S、Se、Te和它们的组合组成的组的硫属元素。在应用等离子体之后，在金属二硫属化物膜的部分上方形成包括第二金属的金属层。本发明的实施例还涉及半导体器件。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。

背景技术

二维半导体(也称为2D半导体)是一种具有原子尺度上的厚度的自然半导体。过渡金属二硫属化物已用于2D器件中。用于器件应用的单个2D过渡金属二硫属化物材料的性能已达到上限。源极/漏极区域和源极/漏极电极接触件的结点处的电阻是2D器件中的性能限制因素。

发明内容

本发明的一些实施例提供了一种制造半导体器件的方法，包括：将等离子体应用至金属二硫属化物膜的部分，其中，所述金属二硫属化物膜包括第一金属和选自S、Se、Te和它们的组合组成的组的硫属元素；在应用所述等离子体之后，在所述金属二硫属化物膜的部分上方形成包括第二金属的金属层。

本发明的另一些实施例提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成金属二硫属化物膜，其中，所述金属二硫属化物膜包括第一金属和选自S、Se、Te和它们的组合组成的组的硫属元素；在所述金属二硫属化物膜上方形成缓冲层；图案化所述缓冲层以暴露所述金属二硫属化物膜的部分；从所述金属二硫属化物膜的暴露部分的表面层等离子体剥离所述硫属元素；以及在所述等离子体剥离之后，在所述金属二硫属化物膜的暴露部分上方形成包括第二金属的金属层。

本发明的又一些实施例提供了一种半导体器件，包括：金属硫属化物单层膜，设置在衬底上方，其中，所述金属硫属化物单层膜包括第一金属和选自S、Se、Te和它们的组合组成的组的硫属元素，并且其中，所述金属硫属化物单层膜具有第一表面部分和第二表面部分；以及金属层，设置在所述金属硫属化物膜上方，其中，所述金属层包括第二金属，所述金属层设置在所述第一表面部分上方而不设置在所述第二表面部分上方，并且其中，所述金属层化学结合至所述金属硫属化物膜。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制，仅用于说明目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1A和图1B是根据本发明的实施例的制造半导体器件的顺序方法的阶段的等距视图和截面图。

图2A和图2B是根据本发明的实施例的制造半导体器件的顺序方法的阶段的等距视图和截面图。

图3A和图3B是根据本发明的实施例的制造半导体器件的顺序方法的阶段的等距视图和截面图。

图4A和图4B是根据本发明的实施例的制造半导体器件的顺序方法的阶段的等距视图和截面图。

图5A和图5B是根据本发明的实施例的制造半导体器件的顺序方法的阶段的等距视图和截面图。

图6A和图6B是根据本发明的实施例的制造半导体器件的顺序方法的阶段的等距视图和截面图。

图7A和图7B是根据本发明的实施例的制造半导体器件的顺序方法的阶段的等距视图和截面图。

图8是根据本发明的实施例的制造半导体器件的顺序方法的阶段的示意性截面图。

图9是根据本发明的实施例的制造半导体器件的顺序方法的阶段的示意性截面图。

图10是根据本发明的实施例的制造半导体器件的顺序方法的阶段的示意性截面图。