[发明专利]纳米银线保护层结构及其制备方法在审
申请号: | 202011264100.7 | 申请日: | 2020-11-12 |
公开(公告)号: | CN114496352A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 王业升;方玮嘉;朱俊鸿;萧仲钦;林雅婷;陈世清 | 申请(专利权)人: | 天材创新材料科技(厦门)有限公司 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B1/02;G06F3/041;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 南霆;王宁 |
地址: | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 保护层 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种纳米银线保护层结构,其特征在于,包含:
基材;
纳米银线层,其设置于该基材之上,仅覆盖该基材表面的部分区域,其中该纳米银线层包含:
多个纳米银线通道;以及
纳米银线保护层,其设置于该纳米银线层之上,仅覆盖对应该多个纳米银线通道的区域,且含有抗光氧化剂。
2.根据权利要求1所述的纳米银线保护层结构,其特征在于,该纳米银线保护层的覆盖面积占该基材表面的6%至60%。
3.根据权利要求1所述的纳米银线保护层结构,其特征在于,该纳米银线保护层的宽度介于2μm至1mm之间。
4.根据权利要求1所述的纳米银线保护层结构,其特征在于,该纳米银线保护层的厚度介于10nm至2000nm之间。
5.根据权利要求1所述的纳米银线保护层结构,其特征在于,该多个纳米银线通道成波浪状。
6.根据权利要求5所述的纳米银线保护层结构,其特征在于,该纳米银线层进一步包含:
多个纳米银线假体,其设置于该多个纳米银线通道之间。
7.根据权利要求1所述的纳米银线保护层结构,其特征在于,进一步包含:
多个导线,其设置于该纳米银线层与该基材之间。
8.根据权利要求1所述的纳米银线保护层结构,其特征在于,进一步包含:
覆盖层,其设置于该纳米银线保护层之上。
9.根据权利要求8所述的纳米银线保护层结构,其特征在于,进一步包含:
第二基材,其设置于该基材之下;
第二纳米银线层,其设置于该第二基材之上且位于该基材之下,仅覆盖该第二基材表面的部分区域,其中该第二纳米银线层包含:
多个第二纳米银线通道;
第二纳米银线保护层,其设置于该第二纳米银线层之上且位于该基材之下,仅覆盖对应该多个第二纳米银线通道的区域,且含有抗光氧化剂;以及
第二覆盖层,其设置于该第二纳米银线保护层之上且位于该基材之下。
10.根据权利要求8所述的纳米银线保护层结构,其特征在于,进一步包含:
第二纳米银线层,其设置于该基材之下,仅覆盖该基材表面的部分区域,其中该第二纳米银线层包含:
多个第二纳米银线通道;
第二纳米银线保护层,其设置于该第二纳米银线层之下,仅覆盖对应该多个第二纳米银线通道的区域,且含有抗光氧化剂;以及
第二覆盖层,其设置于该第二纳米银线保护层之下。
11.一种纳米银线保护层结构之制备方法,其特征在于,包含:
提供基材;
于该基材上方设置纳米银线层,其仅覆盖该基材表面的部分区域,其中该纳米银线层包含:
多个纳米银线通道;以及
于该纳米银线层上方设置纳米银线保护层,其仅覆盖对应该多个纳米银线通道的区域,且含有抗光氧化剂。
12.根据权利要求11所述的制备方法,其特征在于,该纳米银线保护层的覆盖面积占该基材表面的6%至60%。
13.根据权利要求11所述的制备方法,其特征在于,该纳米银线保护层的宽度介于2μm至1mm之间。
14.根据权利要求11所述的制备方法,其特征在于,该纳米银线保护层的厚度介于10nm至2000nm之间。
15.根据权利要求11所述的制备方法,其特征在于,该多个纳米银线通道成波浪状。
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