[发明专利]纳米银线保护层结构及其制备方法

权利要求书

1.一种纳米银线保护层结构，其特征在于，包含：

基材；

纳米银线层，其设置于该基材之上，仅覆盖该基材表面的部分区域，其中该纳米银线层包含：

多个纳米银线通道；以及

纳米银线保护层，其设置于该纳米银线层之上，仅覆盖对应该多个纳米银线通道的区域，且含有抗光氧化剂。

2.根据权利要求1所述的纳米银线保护层结构，其特征在于，该纳米银线保护层的覆盖面积占该基材表面的6％至60％。

3.根据权利要求1所述的纳米银线保护层结构，其特征在于，该纳米银线保护层的宽度介于2μm至1mm之间。

4.根据权利要求1所述的纳米银线保护层结构，其特征在于，该纳米银线保护层的厚度介于10nm至2000nm之间。

5.根据权利要求1所述的纳米银线保护层结构，其特征在于，该多个纳米银线通道成波浪状。

6.根据权利要求5所述的纳米银线保护层结构，其特征在于，该纳米银线层进一步包含：

多个纳米银线假体，其设置于该多个纳米银线通道之间。

7.根据权利要求1所述的纳米银线保护层结构，其特征在于，进一步包含：

多个导线，其设置于该纳米银线层与该基材之间。

8.根据权利要求1所述的纳米银线保护层结构，其特征在于，进一步包含：

覆盖层，其设置于该纳米银线保护层之上。

9.根据权利要求8所述的纳米银线保护层结构，其特征在于，进一步包含：

第二基材，其设置于该基材之下；

第二纳米银线层，其设置于该第二基材之上且位于该基材之下，仅覆盖该第二基材表面的部分区域，其中该第二纳米银线层包含：

多个第二纳米银线通道；

第二纳米银线保护层，其设置于该第二纳米银线层之上且位于该基材之下，仅覆盖对应该多个第二纳米银线通道的区域，且含有抗光氧化剂；以及

第二覆盖层，其设置于该第二纳米银线保护层之上且位于该基材之下。

10.根据权利要求8所述的纳米银线保护层结构，其特征在于，进一步包含：

第二纳米银线层，其设置于该基材之下，仅覆盖该基材表面的部分区域，其中该第二纳米银线层包含：

多个第二纳米银线通道；

第二纳米银线保护层，其设置于该第二纳米银线层之下，仅覆盖对应该多个第二纳米银线通道的区域，且含有抗光氧化剂；以及

第二覆盖层，其设置于该第二纳米银线保护层之下。

11.一种纳米银线保护层结构之制备方法，其特征在于，包含：

提供基材；

于该基材上方设置纳米银线层，其仅覆盖该基材表面的部分区域，其中该纳米银线层包含：

多个纳米银线通道；以及

于该纳米银线层上方设置纳米银线保护层，其仅覆盖对应该多个纳米银线通道的区域，且含有抗光氧化剂。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，该纳米银线保护层的覆盖面积占该基材表面的6％至60％。

13.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，该纳米银线保护层的宽度介于2μm至1mm之间。

14.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，该纳米银线保护层的厚度介于10nm至2000nm之间。

15.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，该多个纳米银线通道成波浪状。