[发明专利]纳米银线保护层结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202011264100.7 申请日: 2020-11-12
公开(公告)号: CN114496352A 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 王业升;方玮嘉;朱俊鸿;萧仲钦;林雅婷;陈世清 申请(专利权)人: 天材创新材料科技(厦门)有限公司
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B1/02;G06F3/041;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 代理人: 南霆;王宁
地址: 361100 福建省厦门市火炬*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 纳米 保护层 结构 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种纳米银线保护层结构,其特征在于,包含:

基材;

纳米银线层,其设置于该基材之上,仅覆盖该基材表面的部分区域,其中该纳米银线层包含:

多个纳米银线通道;以及

纳米银线保护层,其设置于该纳米银线层之上,仅覆盖对应该多个纳米银线通道的区域,且含有抗光氧化剂。

2.根据权利要求1所述的纳米银线保护层结构,其特征在于,该纳米银线保护层的覆盖面积占该基材表面的6%至60%。

3.根据权利要求1所述的纳米银线保护层结构,其特征在于,该纳米银线保护层的宽度介于2μm至1mm之间。

4.根据权利要求1所述的纳米银线保护层结构,其特征在于,该纳米银线保护层的厚度介于10nm至2000nm之间。

5.根据权利要求1所述的纳米银线保护层结构,其特征在于,该多个纳米银线通道成波浪状。

6.根据权利要求5所述的纳米银线保护层结构,其特征在于,该纳米银线层进一步包含:

多个纳米银线假体,其设置于该多个纳米银线通道之间。

7.根据权利要求1所述的纳米银线保护层结构,其特征在于,进一步包含:

多个导线,其设置于该纳米银线层与该基材之间。

8.根据权利要求1所述的纳米银线保护层结构,其特征在于,进一步包含:

覆盖层,其设置于该纳米银线保护层之上。

9.根据权利要求8所述的纳米银线保护层结构,其特征在于,进一步包含:

第二基材,其设置于该基材之下;

第二纳米银线层,其设置于该第二基材之上且位于该基材之下,仅覆盖该第二基材表面的部分区域,其中该第二纳米银线层包含:

多个第二纳米银线通道;

第二纳米银线保护层,其设置于该第二纳米银线层之上且位于该基材之下,仅覆盖对应该多个第二纳米银线通道的区域,且含有抗光氧化剂;以及

第二覆盖层,其设置于该第二纳米银线保护层之上且位于该基材之下。

10.根据权利要求8所述的纳米银线保护层结构,其特征在于,进一步包含:

第二纳米银线层,其设置于该基材之下,仅覆盖该基材表面的部分区域,其中该第二纳米银线层包含:

多个第二纳米银线通道;

第二纳米银线保护层,其设置于该第二纳米银线层之下,仅覆盖对应该多个第二纳米银线通道的区域,且含有抗光氧化剂;以及

第二覆盖层,其设置于该第二纳米银线保护层之下。

11.一种纳米银线保护层结构之制备方法,其特征在于,包含:

提供基材;

于该基材上方设置纳米银线层,其仅覆盖该基材表面的部分区域,其中该纳米银线层包含:

多个纳米银线通道;以及

于该纳米银线层上方设置纳米银线保护层,其仅覆盖对应该多个纳米银线通道的区域,且含有抗光氧化剂。

12.根据权利要求11所述的制备方法,其特征在于,该纳米银线保护层的覆盖面积占该基材表面的6%至60%。

13.根据权利要求11所述的制备方法,其特征在于,该纳米银线保护层的宽度介于2μm至1mm之间。

14.根据权利要求11所述的制备方法,其特征在于,该纳米银线保护层的厚度介于10nm至2000nm之间。

15.根据权利要求11所述的制备方法,其特征在于,该多个纳米银线通道成波浪状。

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