[发明专利]纳米银线保护层结构及其制备方法在审
申请号: | 202011264100.7 | 申请日: | 2020-11-12 |
公开(公告)号: | CN114496352A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 王业升;方玮嘉;朱俊鸿;萧仲钦;林雅婷;陈世清 | 申请(专利权)人: | 天材创新材料科技(厦门)有限公司 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B1/02;G06F3/041;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 南霆;王宁 |
地址: | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 保护层 结构 及其 制备 方法 | ||
本发明公开一种纳米银线保护层结构,包含:基材;纳米银线层,其设置于该基材之上,仅覆盖该基材表面的部分区域,其中该纳米银线层包含:多个纳米银线通道;以及纳米银线保护层,其设置于该纳米银线层之上,仅覆盖对应该多个纳米银线通道的区域,且含有抗光氧化剂。一种上述纳米银线保护层结构的制备方法。本发明的纳米银线保护层结构及其制备方法可应用于触控感测器中。
技术领域
本发明涉及一种纳米银线保护层结构,尤指一种纳米银线保护层仅覆盖对应该多个纳米银线通道的区域的纳米银线保护层结构。本发明也涉及一种上述纳米银线保护层结构的制备方法。
背景技术
传统的纳米银线保护层结构及其制备方法如图1所示。传统的纳米银线保护层结构10于基材11上设置图形化的纳米银线(Sliver nanowire,SNW)层12之后,于纳米银线层12上设置的纳米银线保护层13覆盖基材11上的全部区域。
纳米银保护层主要功能为保护纳米银线层,避免纳米银线层因光氧化而失效,造成其导电度不佳的问题。
然而,传统的纳米银线保护层结构的纳米银线保护层成分中的抗光氧化剂会吸收蓝光与紫光,且纳米银线保护层覆盖基材上的全部区域,使得传统的纳米银线保护层结构整体有明显偏黄的现象。
发明内容
为改善现有技术的纳米银线保护层结构整体明显偏黄的问题,本发明提供新颖的纳米银线保护层结构及其制备方法。
为达上述目的及其他目的,本发明提供一种纳米银线保护层结构,包含:
基材;
纳米银线层,其设置于该基材之上,仅覆盖该基材表面的部分区域,其中该纳米银线层包含:
多个纳米银线通道;以及
纳米银线保护层,其设置于该纳米银线层之上,仅覆盖对应该多个纳米银线通道的区域,且含有抗光氧化剂。
上述的纳米银线保护层结构,其中,该纳米银线保护层的覆盖面积可占该基材表面的6%至60%。
上述的纳米银线保护层结构,其中,该纳米银线保护层的宽度可介于2μm至1mm之间。
上述的纳米银线保护层结构,其中,该纳米银线保护层的厚度可介于10nm至2000nm之间。
上述的纳米银线保护层结构,其中,该多个纳米银线通道可成波浪状。
上述的纳米银线保护层结构,其中,该纳米银线层可进一步包含:
多个纳米银线假体,其设置于该多个纳米银线通道之间。
上述的纳米银线保护层结构,其中,可进一步包含:
多个导线,其设置于该纳米银线层与该基材之间。
上述的纳米银线保护层结构,其中,可进一步包含:
覆盖层,其设置于该纳米银线保护层之上。
上述的纳米银线保护层结构,其中,可进一步包含:
第二纳米银线保护层结构,其设置于该纳米银线保护层结构之下,该第二纳米银线保护层结构包含:
第二基材;
第二纳米银线层,其设置于该第二基材之上,仅覆盖该第二基材表面的部分区域,其中该第二纳米银线层包含:
多个第二纳米银线通道;
第二纳米银线保护层,其设置于该第二纳米银线层之上,仅覆盖对应该多个第二纳米银线通道的区域,且含有抗光氧化剂;以及
第二覆盖层,其设置于该第二纳米银线保护层之上。
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