[发明专利]STI结构的制作方法、STI结构及半导体器件在审
| 申请号： | 202011264441.4 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112382606A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 张永章 | 申请（专利权）人： | 海光信息技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 300000 天津市滨海新区天津华苑*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sti 结构 制作方法 半导体器件 | ||
1.一种浅槽隔离STI结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成沟槽；
对所述沟槽的内壁进行掺杂；
在所述沟槽中填充隔离介质。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成沟槽，包括：
在所述半导体衬底上形成掩膜层；
在所述掩膜层上形成开口，以暴露所述半导体衬底；
在暴露出的半导体衬底上形成所述沟槽。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述掩膜层包括氧化物层以及覆盖在所述氧化物层上的氮化物层，对所述沟槽的内壁进行掺杂，包括：
以所述氮化物层作为自对准阻挡层，将掺杂离子注入到所述沟槽的内壁。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将掺杂离子注入到所述沟槽的内壁，包括：
将所述掺杂离子垂直向所述沟槽注入。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
将所述掺杂离子以预设入射角度倾斜并旋转向所述沟槽注入，其中，所述预设入射角度为掺杂离子束与半导体衬底所在平面之间的角度。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述预设入射角度不大于45°。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺杂离子是P型离子。
8.根据权利要求1至7任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在对所述沟槽的内壁进行掺杂之后以及在所述沟槽中填充隔离介质之前，在所述沟槽的内壁生长氧化物层。
9.一种STI结构，其特征在于，包括：
半导体衬底；
沟槽，形成在所述半导体衬底上，其中，所述沟槽的内壁被掺杂；
隔离介质，填充在所述沟槽中。
10.根据权利要求9所述的STI结构，其特征在于，对所述沟槽进行掺杂所使用的掺杂离子为P型离子。
11.根据权利要求9所述的STI结构，其特征在于，所述沟槽的内壁附着有氧化物层。
12.一种半导体器件，其特征在于，包括具有如权利要求9至11任一项所述的STI结构。
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