[发明专利]一种半导体器件的制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圆，所述第一晶圆具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；

在所述第一晶圆内注入氧化性离子，并使得所述氧化性离子与所述第一晶圆形成阻止层，所述阻止层位于所述第一表面与所述第二表面之间；

从所述第二表面对所述第一晶圆进行减薄，并去除所述阻止层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第一晶圆内注入氧化性离子，并使得所述氧化性离子与所述第一晶圆形成阻止层包括：

从所述第一晶圆的第一表面注入所述氧化性离子；

对注入的所述氧化性离子进行热处理，以使得所述氧化性离子与所述第一晶圆结合，以形成所述阻止层。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，从所述第一晶圆的第一表面注入所述氧化性离子之前包括：

在所述第一晶圆的第一表面形成保护层；

形成所述阻止层之后还包括：

去除所述保护层。

4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，对注入的所述氧化性离子进行热处理，以使得所述氧化性离子与所述第一晶圆结合，以形成所述阻止层包括：

对注入的所述氧化性离子进行高温退火、快速冷却处理，以使得所述氧化性离子与所述第一晶圆结合形成所述阻止层；

其中，所述高温退火的温度为800-1000℃。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，从所述第二表面对所述第一晶圆进行减薄，并去除所述阻止层之前还包括：

提供第二晶圆；

将所述第二晶圆与所述第一晶圆的所述第一表面进行键合。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，从所述第二表面对所述第一晶圆进行减薄，并去除所述阻止层包括：

对所述第一晶圆的第二表面进行平坦化，并去除位于所述阻止层远离所述第一表面的一侧的部分第一晶圆；

对位于所述阻止层远离所述第一表面的一侧的剩余部分第一晶圆进行蚀刻，并去除剩余部分第一晶圆；

对所述阻止层进行蚀刻，并去除所述阻止层。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，在对所述第一晶圆的第二表面进行平坦化，并去除位于所述阻止层远离所述第一表面的一侧的部分第一晶圆的步骤之后，位于所述阻止层远离所述第一表面的一侧的剩余部分第一晶圆的厚度大于0.7μm。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一表面与所述阻止层之间的部分第一晶圆的厚度为3μm～7μm。

9.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述保护层的厚度为

10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述氧化性离子的注入剂量大于10E16个/cm²。

11.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述阻止层的厚度为0.1-0.5μm。