[发明专利]一种半导体器件的制作方法

说明书

本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；在所述第一晶圆内注入氧化性离子，并使得所述氧化性离子与所述第一晶圆形成阻止层，所述阻止层位于所述第一表面与所述第二表面之间；从所述第二表面对所述第一晶圆进行减薄，并去除所述阻止层。以此能够提高晶圆背面的平坦度，提高器件性能。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，尤其是涉及一种半导体器件的制作方法。

背景技术

为了满足半导体技术高集成度和高性能的需求，芯片结构向着三维方向发展，晶圆级键合技术得到了广泛的应用。在晶圆键合之后，需要对晶圆进行减薄，为了快速有效地将晶圆减薄至需要的厚度，会逐步进行粗磨、刻蚀和细磨的工艺。但是在减薄工艺中，很难达到所需的平坦度，延续至后续的工艺，最终会影响器件的性能。而采用机台进行细磨又需要高精度机台，成本较高。

发明内容

本发明提供一种半导体器件的制作方法，用以提高晶圆背面的平坦度，提高器件性能。

为解决上述技术问题，本发明提供的第一个技术方案为：提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；在所述第一晶圆内注入氧化性离子，并使得所述氧化性离子与所述第一晶圆形成阻止层，所述阻止层位于所述第一表面与所述第二表面之间；从所述第二表面对所述第一晶圆进行减薄，并去除所述阻止层。

其中，在所述第一晶圆内注入氧化性离子，并使得所述氧化性离子与所述第一晶圆形成阻止层包括：从所述第一晶圆的第一表面注入所述氧化性离子；对注入的所述氧化性离子进行热处理，以使得所述氧化性离子与所述第一晶圆结合，以形成所述阻止层。

其中，从所述第一晶圆的第一表面注入所述氧化性离子之前包括：在所述第一晶圆的第一表面形成保护层；对注入的所述氧化性离子进行热处理，以使得所述氧化性离子与所述第一晶圆结合，以形成所述阻止层之后还包括：去除所述保护层。

其中，对注入的所述氧化性离子进行热处理，以使得所述氧化性离子与所述第一晶圆结合，以形成所述阻止层包括：对注入的所述氧化性离子进行高温退火、快速冷却处理，以使得所述氧化性离子与所述第一晶圆结合形成所述阻止层；其中，所述高温退火的温度为800-1000℃。

其中，从所述第二表面对所述第一晶圆进行减薄，并去除所述阻止层之前还包括：提供第二晶圆；将所述第二晶圆与所述第一晶圆的所述第一表面进行键合。

其中，从所述第二表面对所述第一晶圆进行减薄，并去除所述阻止层包括：对所述第一晶圆的第二表面进行平坦化，并去除位于所述阻止层远离所述第一表面的一侧的部分第一晶圆；对位于所述阻止层远离所述第一表面的一侧的剩余部分第一晶圆进行蚀刻，并去除剩余部分第一晶圆；对所述阻止层进行蚀刻，并去除所述阻止层。

其中，在所述对所述第一晶圆的第二表面进行平坦化，并去除位于所述阻止层远离所述第一表面的一侧的部分第一晶圆的步骤之后，位于所述阻止层远离所述第一表面的一侧的剩余部分第一晶圆的厚度大于0.7μm。

其中，所述第一表面与所述阻止层之间的部分第一晶圆的厚度为3μm～7μm。

其中，所述保护层的厚度为50～100A。

其中，所述氧化性离子的注入剂量大于10E16个/cm²。

其中，所述阻止层的厚度为0.1-0.5μm。

本发明的有益效果，本发明提供的半导体器件的制作方法，其在第一晶圆内注入氧化性离子，使得氧化性离子与第一晶圆结合形成阻止层，阻止层位于所述第一表面与第二表面之间，在进行背面蚀刻时，从第二表面一侧对第一晶圆进行减薄，并去除阻止层。以此能够提高晶圆背面的平坦度，提高器件性能。

附图说明